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本发明公开了一种MEMS流量传感器的制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面...
该专利属于河北美泰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北美泰电子科技有限公司授权不得商用。

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