一种LED驱动电路制造技术

技术编号:16823233 阅读:116 留言:0更新日期:2017-12-16 18:20
本发明专利技术公开了一种LED驱动电路,涉及LED驱动技术领域,包括第一至第三PMOS管、第一至第六电阻、第一至第二电容、第一至第五NMOS管、二极管、电感、运算放大器、NPN三极管和LED。本发明专利技术能够控制LED灯亮灭,结构简单、成本低且体积小;通过控制能够有效降低三极管导通和关断的延迟时间,从而能够有效降低LED灯亮灭的延迟时间;且本发明专利技术提高了LED驱动器的工作效率,发热较低,具有更好的稳定性和更长的使用寿命。

A LED drive circuit

The invention discloses a LED driving circuit, which relates to the field of LED driving technology, including first to third PMOS pipes, first to sixth resistors, first to second capacitors, first to fifth NMOS tubes, diodes, inductors, operational amplifiers, NPN transistors and LED. The invention can control the LED lights off, has the advantages of simple structure, low cost and small volume; effectively reduce the delay time of the transistor turn-on and turn off to control, which can effectively reduce the delay time of LED lights out; and the invention improves the LED drive efficiency, low heat, have better stability and longer service life.

【技术实现步骤摘要】
一种LED驱动电路
本专利技术涉及LED驱动
,特别是一种LED驱动电路。
技术介绍
随着全球白炽灯淘汰路线的出台及节能减排政策的的实施,LED照明普及得到了飞速的前进,其渗透率也迅速提升。据OFweek行业研究中心高级分析师邓凯敏统计数据可知,2014年全球照明市场达到1517.6亿美元;到2015年,全球照明市场将达到1616.3亿美元,同比2014年增长6.5%。由此可见,LED照明具有广阔的市场前景,而作为LED照明关键组件的LED驱动电源产业,也将会迎来发展的好时光。随着LED市场和技术的成熟,其应用己全面渗透到各个领域。而驱动电源号称是LED照明灯具的心脏,其在LED推广及快速普及过程中扮演着非常重要的作用。随着LED技术的发展,LED的亮度和效率不断提高。日常家用的LED照明不断发展,逐渐成为节能减排、绿色照明的主流。LED灯被改造应用在各种场合。LED灯供电使用恒定电流,因为LED灯的亮度与流经其的电流呈正比。当恒定电压施加在LED灯上,目标恒定电压一旦发生少许偏离将会使得输出电流产生显著偏离,这是由LED的非线性I-V特性决定,同时电流的大偏离导致亮度发生大变本文档来自技高网...
一种LED驱动电路

【技术保护点】
一种LED驱动电路,其特征在于,包括第一至第三PMOS管、第一至第六电阻、第一至第二电容、第一至第五NMOS管、二极管、电感、运算放大器、NPN三极管和LED;其中,第一电阻的一端与电源、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极分别连接,第一电阻的另一端与第一PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极分别连接,第一PMOS管的源极与地连接,第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的源极、第二电阻的一端、运算放大器的反相输入端分别连接,第二电阻的另一端接地,第二PMOS管的漏极与运算放大器的正相输入端、第一NMOS管的栅极、第一NMOS管的的漏极、第五NMO...

【技术特征摘要】
1.一种LED驱动电路,其特征在于,包括第一至第三PMOS管、第一至第六电阻、第一至第二电容、第一至第五NMOS管、二极管、电感、运算放大器、NPN三极管和LED;其中,第一电阻的一端与电源、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极分别连接,第一电阻的另一端与第一PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极分别连接,第一PMOS管的源极与地连接,第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的源极、第二电阻的一端、运算放大器的反相输入端分别连接,第二电阻的另一端接地,第二PMOS管的漏极与运算放大器的正相输入端、第一NMOS管的栅极、第一NMOS管的的漏极、第五NMOS管的栅极分别连接,第一NMOS管的源极与第一电容的一端、第二NMOS管的漏极分别连接,第二NMOS管的栅极与第一电容的另一端、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的栅极、运算放大器的输出端分别连接,第四NMOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑春秋
申请(专利权)人:苏州麦喆思科电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1