A high-power LED attenuation compensation integrated circuit, photoelectric detection unit is connected with the current extraction unit, current extraction unit is provided with a bias voltage terminal; timing unit selection unit is connected with the sampling unit and the reference voltage and current extraction unit, voltage integral, timing unit is provided with a clock signal and reset signal terminal; current and voltage integral unit the sampling unit is connected, the voltage sampling unit via an external capacitor; voltage sampling unit, a reference voltage selection unit and a voltage comparison unit connected to the reference voltage selection unit is provided with two bias voltage end; the voltage comparison unit is connected with the waveform shaping unit, waveform shaping unit is connected with the benchmark selection unit, benchmark selection unit reset signal end and output end and two reference voltage ends. The invention effectively improves the illumination intensity attenuation of the high-power LED after prolonged use and prolongs the actual service life of the LED, and realizes the intellectualization and miniaturization of the LED lighting drive.
【技术实现步骤摘要】
大功率LED光衰补偿集成电路
本专利技术涉及实现的光衰补偿集成电路,作为LED驱动芯片的一部分,是对LED驱动电路的拓展优化,可有效改善大功率LED在长时间使用之后照明强度衰减的现象,延长LED的实际使用寿命,实现LED照明驱动的智能化与微型化。
技术介绍
大功率LED以其功耗低、寿命长、体积小、价格低等优点,在现代照明技术中应用十分广泛。然而大功率LED存在严重的光衰现象,其发光性能会随着时间的推移和温度的升高而衰减,当光照强度衰减到一定程度时,LED虽然还能工作,然而不再满足照明的需求,限制了LED的实际使用寿命,增加了照明成本。大功率LED的照明强度与流过的电流呈正相关关系,通过调节电流大小可以实现对LED光照强度的控制,而LED的电流由相应的驱动电路所控制,驱动方式可分为恒定电流模式和恒定光照模式。基于恒定光照模式的驱动电路通过调节电流,控制LED的光照强度不变。由于LED光衰的产生,随着时间的推移,流过LED的电流呈指数形式上升,温度也随之呈指数形式上升,从而加速了器件性能的退化,大大缩减了LED的寿命。基于恒定电流模式的驱动电路控制流过LED的电流基本 ...
【技术保护点】
一种大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:包括时序发生单元、光电探测单元、电流提取积分单元、电压采样单元、参考电压选择单元、电压比较单元、波形整形单元和基准选择单元;所述光电探测单元与所述电流提取单元连接,所述电流提取单元设有偏置电压端;所述时序发生单元分别与所述电流提取积分单元、电压采样单元和参考电压选择单元连接,所述时序发生单元设有时钟信号端和复位信号端;所述电流积分单元与所述电压采样单元连接,所述电压采样单元通过外接电容接地;所述电压采样单元、参考电压选择单元均与所述电压比较单元连接,所述参考电压选择单元设有两个偏置电压端;所述电压比较单元与所述波形整形单元连接, ...
【技术特征摘要】
1.一种大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:包括时序发生单元、光电探测单元、电流提取积分单元、电压采样单元、参考电压选择单元、电压比较单元、波形整形单元和基准选择单元;所述光电探测单元与所述电流提取单元连接,所述电流提取单元设有偏置电压端;所述时序发生单元分别与所述电流提取积分单元、电压采样单元和参考电压选择单元连接,所述时序发生单元设有时钟信号端和复位信号端;所述电流积分单元与所述电压采样单元连接,所述电压采样单元通过外接电容接地;所述电压采样单元、参考电压选择单元均与所述电压比较单元连接,所述参考电压选择单元设有两个偏置电压端;所述电压比较单元与所述波形整形单元连接,所述波形整形单元与所述基准选择单元连接,所述基准选择单元设置复位信号端、输出端和两个基准电压端。2.如权利要求1所述的大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:所述时序发生单元中,第一输入端外接时钟信号CLK,第二输入端外接复位信号RST,第一输出端与电流提取积分单元的第三输入端相连,第二输出端与电压采样单元的第二输入端相连,第三输出端与参考电压选择单元的第三输入端相连;所述时序发生单元由循环移位寄存器和或门组成;所述循环移位寄存器有三个输出接口Q0、Q1、Q2,一个置位接口LD,三个置位数据输入接口D0、D1、D2,一个移位数据输入接口DI以及一个时钟信号输入接口CP,所述置位数据输入接口D0接电源Vdd,置位数据输入接口D1、D2均接地,移位数据输入接口DI与输出接口Q2短接,并作为时序发生单元的第三输出端,时钟信号输入接口CP作为时序发生单元的第一输入端,输出接口Q0与所述或门的输入端B相连,并作为时序发生单元的第一输出端,输出接口Q1与所述或门的输入端A相连,置位接口LD作为时序发生单元的第二输入端,所述或门的输出端Y作为时序发生单元的第二输出端。3.如权利要求1或2所述的大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:所述光电探测单元中,输出端与电流提取积分单元的第一输入端相连;光电探测单元由深浅两个PN结D1、D2组成;所述浅PN结D1的阳极接地,阴极与所述PN结D2的阴极相连,并作为光电探测单元的输出端,所述PN结D2的阳极接地。4.如权利要求1或2所述的大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:所述电流提取积分单元中,第一输入端与光电探测单元的输出端相连,第二输入端接偏置电压,第三输入端与时序发生单元的第一输出端相连,输出端与电压采样单元的第一输入端相连;所述电流提取积分单元由运算放大器A、电容C1、NMOS管N1组成;所述运算放大器A的同相输入端与所述NMOS管N1漏极相连,并与所述电容C1的一端相连,作为电流提取积分单元的第一输入端,所述运算放大器的反向输入端接第一偏置电压,并作为电流提取积分单元的第二输入端,所述运算放大器的输出端与所述NMOS管N1源极相连,并与所述电容C1的另一端相连,作为电流提取积分单元的输出端,所述NMOS管N1栅极作为电流提取积分单元的第三输入端。5.如权利要求1或2所述的大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:所述电压采样单元中,第一输入端与电流积分提取单元的输出端相连,第二输入端与时序发生单元的第二输出端相连,输出端外接电容C2后接地,并与电压比较单元的第三输入端相连;所述电压采样单元由PMOS管P1、P2和NMOS管N2、N3组成;所述NMOS管N2栅极与所述PMOS管P2栅极和所述NMOS管N3栅极相连,并作为电压采样单元的第二输入端,所述PMOS管P1源极与所述NMOS管N2漏极相连,并作为电压采样单元的第一输入端,所述PMOS管P1漏极与所述NMOS管N2源极相连,并作为电压采样单元的输出端,所述PMOS管P1栅极与所述PMOS管P2漏极和所述NMOS管N3漏极相连,所述PMOS管P2源极接电源VDD,所述NMOS管N3源极接地。6.如权利要求1或2所述的大功率LED光衰补偿集成电路,其特征在于:所述参考电压选择单元中,第一输入端外接第一偏置电压,第二输入端接第二偏置电压,第三输入端与时序发生单元的第三输出端相连,输出端与电压比较单元的第一输入端相连;所述参考电压选择单元由PMOS管P3、P4、P5和NMOS管N4、N5、N6组成;所述PMOS管P3栅极与所述PMOS管P5栅极和所述NMOS管N5、N6栅极相连,并作为参考电压选择单元的第三输入端,所述PMOS管P3源极与所述NMOS管N4漏...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴柯柯,董月军,施朝霞,
申请(专利权)人:浙江工业大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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