一种部分光栅的电吸收调制激光器及其设计方法技术

本发明专利技术涉及激光器技术领域，提供了一种部分光栅电吸收调制激光器及其设计方法。其中部分光栅的电吸收调制激光器由激光器区域和调制器区域构成，设置有布拉格光栅的区域与调制器区域耦合，激光器的腔长为400um，调制器的腔长为210um，无光栅区域长度为220um，光栅区域的长度为180um；部分光栅的电吸收调制激光器的线性增益系数控制在6×10

An electric absorption modulated laser with partial grating and its design method

The invention relates to the field of laser technology, and provides a part of the grating electric absorption modulation laser and the design method of the laser. Which part of the grating electroabsorption modulated laser is composed of laser and modulator is provided with a region area, region and region coupling of Prague grating modulator, the cavity length is 400um, the modulator cavity length of 210um, no grating region length is 220um, the grating region length is 180um; the linear gain coefficient of electro absorption modulated laser grating part the control in 6 * 10

【技术实现步骤摘要】
一种部分光栅的电吸收调制激光器及其设计方法
本专利技术涉及激光器
，特别是涉及一种部分光栅的电吸收调制激光器及其设计方法。
技术介绍
高速光源是光通信系统的核心部件，一直是光电子领域的研究热点。在众多的光源方案中，电吸收调制器(Electroabsorption,简写为：EAM)与分布反馈激光器(DistributedFeedback,简写为：DFB)的单片集成器件具有结构紧凑、制作工艺兼容、啁啾小、功耗低、功能可扩展性强等显著优点，是波分复用网络、光时分复用网络的理想光信号源。在数据传输系统中，半导体激光器出光端面额外的光反馈会对激光器的阈值电流、斜效率、光谱线宽等许多指标有影响。众所周知的是电吸收调制器对额外的光反馈是非常敏感的，特别是速率达到10Gb/s以上的半导体激光器芯片。为了减小端面反馈的光对激光器芯片的影响，一般的解决方式有两种：1、是在出光面镀一层增透膜，减小光反射。高增透率的膜对镀膜设备要求很高，价格昂贵，并且，由于加工难度的原因，万分之一的增透膜现在还没有在各加工供应商中普及。2、将出光面制做成弯波导，这样出光的角度改变后，反射进入调制器部门的光会减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，部分光栅的电吸收调制激光器由激光器区域和调制器区域构成，其中，激光器区域又包括无光栅区域和设置有布拉格光栅的区域，所述设置有布拉格光栅的区域与所述调制器区域耦合，具体的：所述激光器的腔长为350um‑450um，所述调制器的腔长为180‑270um；其中，激光器中光栅区域的长度为150‑200um；所述部分光栅的电吸收调制激光器的线性增益系数控制在5‑7×10

【技术特征摘要】
1.一种部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，部分光栅的电吸收调制激光器由激光器区域和调制器区域构成，其中，激光器区域又包括无光栅区域和设置有布拉格光栅的区域，所述设置有布拉格光栅的区域与所述调制器区域耦合，具体的：所述激光器的腔长为350um-450um，所述调制器的腔长为180-270um；其中，激光器中光栅区域的长度为150-200um；所述部分光栅的电吸收调制激光器的线性增益系数控制在5-7×10-20m2之间；所述部分光栅的电吸收调制激光器设置在调制器区域出光面的反射膜的反射率为1/1000级别。2.根据权利要求1所述的部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，所述有源区宽度为1.5-2.0um，有源区厚度为25-35nm。3.根据权利要求1或2所述的部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，所述增益压缩因子为2.5*10-23m3，EA峰值吸收系数为1.32×106。4.一种部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，部分光栅的电吸收调制激光器由激光器区域和调制器区域构成，其中，激光器区域又包括无光栅区域和设置有布拉格光栅的区域，所述设置有布拉格光栅的区域与所述调制器区域耦合，具体的：所述激光器的腔长为400um，所述调制器的腔长为210um，无光栅区域长度为220um，光栅区域的长度为180um；所述部分光栅的电吸收调制激光器的线性增益系数控制在6×10-20m2；所述部分光栅的电吸收调制激光器设置在调制器区域出光面的反射膜的反射率为1/1000级别。5.根据权利要求4所述的部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，所述有源区宽度为1.5-2.0um，有源区厚度为25-35nm。6.根据权利要求4或5所述的部分光栅的电吸收调制激光器，其特征在于，所述增益压缩因子为2.5*10-23m3，EA峰值吸收系数为1.32×106。7.一种部分光栅的电吸收调制激光器设计方法，其特征在于，分别准备全部光栅的电吸收调制激光器和对应权利要求1-3的部分光栅的电吸收调制激光器，其中，全部光栅的电吸收调制激光器O参数包括激光器的腔长为400um，所述调制器的腔长为210um，光栅区域的长度为400um；其中，部分光栅的电吸收调制激光器包括A、B、C、D和E五个，部分光栅的电吸收调制激光器A、B、C、D和E中相同的参数包括激光器的腔长为400um，所述调制器的腔长为210um，其差异点在于部分光...

【专利技术属性】
技术研发人员：万枫，熊永华，曾笔鉴，余杰，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42