一种半导体激光器驱动装置制造方法及图纸
A semiconductor laser driver
The invention discloses a semiconductor laser driving device, a driving circuit includes a switching circuit and accelerating circuit composed of instantaneous large current discharge circuit; drive circuit including preamplifier of MOS tube M1 and the signal output of the MOS tube M2, and an accelerating circuit; switch circuit as switch and power output of the MOS tube M3 and instantaneous large current discharge circuit. The invention has the advantage of speeding through the output and greatly satisfying the threshold current needed to drive.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器驱动装置
：本专利技术属于半导体激光器
，具体涉及一种半导体激光器驱动装置。
技术介绍
：众所周知，现有技术的LD，即半导体激光器，其工作原理是当电流通过LD时，由荧光发射和受激发射产生的光引起反转布居层。受到法布里-珀罗(F-P)表面发射的某些光子将通过这层布居反转区多次来回反射并受激发射而有限倍增。那些在该平面中准确传播和垂直于F-P表面的光子将有最大或然率留在布居反转层，并通过受激发射再产生光子。当对LD施加正偏并电流开始流通时，器件并不会立即发生激射。在低电流下所发射的光主要是由于荧光发射并有几百埃的光谱线宽，它是非相干光。当随着电流的增加受激辐射建立起来时，发射的辐射使光谱线宽和空间发散大大变窄。只有光在谐振腔内来回反射一次所得到的增益大于损耗时才能产生激光，也就是说各种LD为产生激光振荡都必须满足阈值条件，相应的，当正向电流密度J达到一定数值Jth后开始形成激光，Jth称为阈值电流密度。现在的问题是，激光器为了对接收的信号以最快的速度做出响应，就需要对激光器的驱动装置提出在最短的时间内满足阈值电流密度的要求。然而，现有技术都忽略了...
【技术保护点】
一种半导体激光器驱动装置，其特征在于，包括设有加速电路的驱动回路和由瞬时大电流放电回路构成的开关电路；所述驱动回路包括前置放大的MOS管M1以及信号输出的MOS管M2，并设有加速电路；所述开关电路包括作为开关和功率输出的MOS管M3以及瞬时大电流放电回路。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器驱动装置，其特征在于，包括设有加速电路的驱动回路和由瞬时大电流放电回路构成的开关电路；所述驱动回路包括前置放大的MOS管M1以及信号输出的MOS管M2，并设有加速电路；所述开关电路包括作为开关和功率输出的MOS管M3以及瞬时大电流放电回路。2.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其特征在于，所述驱动回路由包括上述的MOS管M1、MOS管M2，以及电容C1、电阻R1、电阻R2组成，MOS管M1的栅极为输入端，MOS管M1的漏极与电阻R1以及MOS管M2的栅极相连接，用于放大信号去驱动MOS管M2，MOS管M1的源极接地，MOS管M2的源极接电源，MOS管M2的漏极作为驱动回路的输出端，其与电阻R2的一端相连接，并且与MOS管M3的栅极连接，以输出驱动信号，用于进一步放大驱动信号提高驱动能力，电阻R2的另一端接地。3.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动装置，其特征在于，所述开关电路由电容C2、MOS管M3、二极管D1以及电阻R3组成；电...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑国军，
申请(专利权)人：上海脉泽光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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