一种磁吸式半导体激光定位装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术创造提供一种磁吸式半导体激光定位装置，包括圆筒状的壳体及其外侧的磁吸座；壳体内部一端安装有半导体激光器，另一端设有光束整形透镜，且在壳体设有光束整形透镜的一端设有过光管，所述半导体激光器发出的光束通过光束整形透镜后，经过光管上设置的输出窗口射出。所述过光管呈锥状结构，其连接所述壳体的一端的内径大于其自由端的内径。本实用新型专利技术创造结构设计合理，可以根据具体的使用需要，将装置吸附在合适的位置，使用非常方便，并且，设置了对光束整形透镜形成防护以及进一步光束整形的过光管及其内部的输出窗口，大大改善了输出光束的质量，还有效提高了本装置的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种磁吸式半导体激光定位装置
本专利技术创造属于激光定位装置领域，尤其是涉及一种磁吸式半导体激光定位装置。
技术介绍
半导体激光器具有电光转换效率高、波长覆盖范围广、可靠性高、体积小、成本低的优点，在材料加工、生物医疗、军事防御和激光泵浦等领域应用广泛。但传统结构的半导体激光器的输出光束在空间分布上存在缺陷。为了改善上述缺陷，现有技术通常采用复杂的光束整形和空间合束技术，但只能对半导体激光器的输出光束质量进行一定程度的改善，还存在下列问题：由于初始半导体激光单元慢轴方向的光束质量差，经过光束整形和空间合束后的光束质量仍然较差；空间合束后的填充因子低，导致后续的光束质量差。现有的半导体激光定位装置固定不便，增加了操作难度，同时，光束整形透镜容易被刮花或外力冲击损坏，影响使用。
技术实现思路
本专利技术创造要解决的问题是旨在克服上述现有技术中存在的缺陷，提出一种磁吸式半导体激光定位装置。为解决上述技术问题，本专利技术创造的技术方案是这样实现的：一种磁吸式半导体激光定位装置，包括圆筒状的壳体及其外侧的磁吸座；所述壳体内部一端安装有半导体激光器，另一端设有光束整形透镜，且在壳体上靠近设有光束整形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：包括圆筒状的壳体及其外侧的磁吸座；所述壳体内部一端安装有半导体激光器，另一端设有光束整形透镜，且在壳体上靠近设有光束整形透镜的一端设有过光管，半导体激光器发出的光束通过光束整形透镜后，经过光管上设置的输出窗口射出。

【技术特征摘要】
1.一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：包括圆筒状的壳体及其外侧的磁吸座；所述壳体内部一端安装有半导体激光器，另一端设有光束整形透镜，且在壳体上靠近设有光束整形透镜的一端设有过光管，半导体激光器发出的光束通过光束整形透镜后，经过光管上设置的输出窗口射出。2.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述过光管呈锥状结构，其连接所述壳体的一端的内径大于其自由端的内径。3.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述光束整形透镜采用球形整形透镜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏兵，
申请(专利权)人：天津微深通用科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12