5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座。包括基座体,所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器输入电流监测的探测器PD安装于基座体上,在基座体中还装有50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚、TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚。本发明专利技术还公开了其制备方法。本发明专利技术实现单一激光器TO封装达到40GHz的带宽。从而大幅降低成本并实现小型化的目的，并实现和现有的光器件标准兼容，有效推进高速光器件的5G网络的普及速度。

5G communication 20GHz laser double chip package base and its manufacturing method

The invention discloses a 5G communication 20GHz laser double chip package base. Includes a base body, the base body is provided with a support member, a printed circuit board mounted to the support member, the printed circuit board is provided with a first laser chip with second laser chip, the printed circuit board to printing silver paste mixed with Parr microwave circuit and post paste printing TEC circuit, two for monitoring laser detector PD input current is installed on the base body, the base body is also provided with a 50 ohm high modulation signal input pin detector, PD input pin, the input end of the TEC circuit, grounding pin output pin. The invention also discloses a preparation method. The invention realizes a single laser TO package to reach the bandwidth of 40GHz. It greatly reduces the cost and realizes the purpose of miniaturization, and is compatible with the existing optical device standard, and effectively promotes the popularization speed of 5G network of high-speed optical devices.

【技术实现步骤摘要】
5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法
本专利技术属于半导体激光器封装元件领域,具体地说是一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法。
技术介绍
随着光纤通讯技术的不断发展和大数据时代的来临，通讯容量和带宽不断扩大，千兆网也将逐步走进千家万户，但由于高速光器件器件(40GHz及以上)受限于同轴TO封装的限制，目前均采用了蝶形(BTF)封装，这种蝶形封装的激光器由于可采用微波线路设计且腔体空间大，所以激光器性能优秀，但成本很高，当前的单一芯片TO封装结构又难以突破40GHz的瓶颈，一定意义上影响了5G通讯的进程。
技术实现思路
本专利技术目的是将两激光器芯片封装激光器中，通过封装结构和微型微波线路板的设计，实现单一激光器TO封装达到40GHz的带宽。本专利技术还公开了5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座的制造方法。技术方案：一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，包括基座体,所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，包括基座体,其特征在于:所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器输入电流监测的探测器PD安装于基座体上,在基座体中还装有50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚、TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚；所述50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚分别穿设于玻璃绝缘子内孔绝缘封装于基座体中。

【技术特征摘要】
1.一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，包括基座体,其特征在于:所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器输入电流监测的探测器PD安装于基座体上,在基座体中还装有50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚、TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚；所述50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚分别穿设于玻璃绝缘子内孔绝缘封装于基座体中。2.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述50欧姆高速调制电信号输入引脚有两个，为同轴结构设置。3.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述印刷电路板其衬底采用氮化铝基片。4.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述基座体为10号碳钢镀镍3-5微米。5.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述50欧姆高速调制电信号输入引脚为4J50铁镍合金，镀镍3-5微米。6.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚为4J50铁镍合金，镀镍3-5微米。7.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述支撑件为无氧铜，镀镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：温演声，
申请(专利权)人：广东格斯泰气密元件有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44