【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷基板新型电镀图形的方法
本专利技术涉及电子电路
,具体是一种陶瓷基板新型电镀图形的方法。
技术介绍
随着多芯片高集成器件、大功率半导体器件和激光二极管元器件等新一代大功率电子电力器件的发展,大功率器件所产生的热量也在不断增加,散热问题变得越来越重要,由于陶瓷具有高热导率、高电阻率,线膨胀系数,且耐高压高温,正是解决大功率器件封装的关键基板材料,能很好的符合大功率芯片和高密度集成封装的各项要求,所以陶瓷与常规芯片的组合越来越受欢迎,目前已被广泛应用于汽车、油井、电力变送等高压、高绝缘、高频、高温、高可靠、小体积的电子产品中;常规陶瓷基板主要有平面板及3D板(带围坝)两种,本专利技术主要改进是的平面基板,常规基板制作方法主要有:一、直接丝印金属层:工艺比较成熟,直接将铜浆或者其它金属浆料丝印到陶瓷基板上,再经过高温烧结,从而制备陶瓷线路板,该方法虽然工艺步骤简单,但所需的丝印设备精度要求高,需要的丝印铜浆严重依赖进口,需要上千度的高温真空或者氮气保护下烧结,成本较高,且经过高温后图形一致性及精确度会 ...
【技术保护点】
1.一种陶瓷基板新型电镀图形的方法,其特征在于:包括以下步骤:/nS100:基板打孔:根据电路设计要求对陶瓷基板进行激光打孔;/nS200:基板金属化:对打孔后的陶瓷基板进行预处理,然后对陶瓷表面金属化处理;/nS300:贴膜:对金属化后的陶瓷基板依据线路设计进行贴膜处理;/nS400:基板加厚填孔:对贴膜后的陶瓷基板进行加厚处理及填孔处理;/nS500:镀锡保护:对基板加厚填孔的陶瓷基板进行镀锡保护处理;/nS600:退膜:对镀锡保护后的陶瓷基板予以退膜处理;/nS700:刻蚀:对退膜后的陶瓷基板刻蚀处理;/nS800:整平:对刻蚀后的陶瓷基板予以整平处理;/nS900: ...
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板新型电镀图形的方法,其特征在于:包括以下步骤:
S100:基板打孔:根据电路设计要求对陶瓷基板进行激光打孔;
S200:基板金属化:对打孔后的陶瓷基板进行预处理,然后对陶瓷表面金属化处理;
S300:贴膜:对金属化后的陶瓷基板依据线路设计进行贴膜处理;
S400:基板加厚填孔:对贴膜后的陶瓷基板进行加厚处理及填孔处理;
S500:镀锡保护:对基板加厚填孔的陶瓷基板进行镀锡保护处理;
S600:退膜:对镀锡保护后的陶瓷基板予以退膜处理;
S700:刻蚀:对退膜后的陶瓷基板刻蚀处理;
S800:整平:对刻蚀后的陶瓷基板予以整平处理;
S900:化镍/化金:对整平后的陶瓷基板依规格要求进行电镀化学镍化学金处理。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法,其特征在于:所述陶瓷基板的材质为氮化铝或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法,其特征在于:所述陶瓷基板上设有定位孔。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘横望,
申请(专利权)人:广东格斯泰气密元件有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。