The invention discloses an environment-friendly semiconductor wafer, which comprises a first substrate layer and the surface layer second, the mass fraction of the basal layer in the first group: 12 20 silica and boron 1.5 3, P 0.5 2.5, arsenic 3 6, the mass fraction of the second groups were divided in the surface layer is: Three two 15 25 silicon oxide, III V compound consisting of 10 20. Through the above way, an environmental friendly semiconductor wafer of the invention has both excellent characteristics of silicon and gallium arsenide, and has high mechanical strength and good heat dissipation performance, and the finished product has high yield and effectively reduces production cost.
【技术实现步骤摘要】
一种环保型半导体晶片
本专利技术涉及电子材料
，特别是涉及一种环保型半导体晶片。
技术介绍
在最近的将来，硅仍是生产集成电路晶片的半导体材料，但是硅晶片已接近物理极限，其速度和集成密度很难进一步大幅度提高，另外Ⅲ-V族化合物也可用来制造半导体晶片，但它们的机械强度远不如硅，价格也昂贵的多，急需二者结合制造一种新型的半导体晶片。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种环保型半导体晶片，兼具了硅和砷化镓两者的优良特性，机械强度高，散热性能好，制成的晶片成品率高，有效降低了生产成本，有着很好的发展前景。为解决上述技术问题，本专利技术一种环保型半导体晶片采用的技术方案是：一种环保型半导体晶片，其特征在于，它包括第一基底层和第二表面层，所述第一基底层由二氧化硅、硼元素、磷元素、砷元素组成，所述第一基底层中各组分的质量分数为：二氧化硅12-20份、硼元素1.5-3份、磷元素0.5-2.5份、砷元素3-6份，所述第二表面层由三氧化二硅、Ⅲ-V族化合物组成，所述第二表面层中各组分的质量分数为：三氧化二硅15-25份、Ⅲ-V族化合物组成10-20份。在本专利技术一个...
【技术保护点】
一种环保型半导体晶片，其特征在于，它包括第一基底层和第二表面层，所述第一基底层由二氧化硅、硼元素、磷元素、砷元素组成，所述第一基底层中各组分的质量分数为：二氧化硅12‑20份、硼元素1.5‑3份、磷元素0.5‑2.5份、砷元素3‑6份，所述第二表面层由三氧化二硅、Ⅲ ‑V族化合物组成，所述第二表面层中各组分的质量分数为：三氧化二硅15‑25份、Ⅲ ‑V族化合物组成10‑20份。
【技术特征摘要】
1.一种环保型半导体晶片，其特征在于，它包括第一基底层和第二表面层，所述第一基底层由二氧化硅、硼元素、磷元素、砷元素组成，所述第一基底层中各组分的质量分数为：二氧化硅12-20份、硼元素1.5-3份、磷元素0.5-2.5份、砷元素3-6份，所述第二表面层由三氧化二硅、Ⅲ-V族化合物组成，所述第二表面层中各组分的质量分数为：三氧化二硅15-25份、Ⅲ-V族化合物组成10-20份。2.根据权利要求1所述的一种环保型半导体晶片,其特征在于，所述Ⅲ-V族化合物为砷化镓或磷化铟。3.根据权利要求1所述的一种环保型半导体晶片,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶彩英，
申请(专利权)人：太仓天润新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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