一种负升压电路、半导体器件及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种负升压电路、半导体器件及电子装置。该负升压电路包括第一传输电路，所述第一传输电路配置为将基准信号传输至第一升压节点；第一延时电路，所述第一延时电路配置为基于所述第一传输电路的反馈信号和第一抬升使能信号生成第一电压抬升信号；第一电压抬升电路，所述第一电压抬升电路配置为基于所述第一电压抬升信号将所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压，其中所述第一延时电路配置为使所述第一传输电路的反馈信号和所述第一电压抬升信号之间具有第一预定延时。本发明专利技术的负升压电路就有更高效的负升压电路，本发明专利技术的半导体器件和电子装置具有更好的读操作性能。

A negative boost circuit, semiconductor device, and electronic device

The invention provides a negative boost circuit, a semiconductor device and an electronic device. The negative booster circuit comprises a first transmission circuit, wherein the first transmission circuit configuration for reference signal transmission to the first boost node; the first delay circuit, the first delay circuit configuration for the first transmission circuit feedback signal and a first enable signal to generate a first voltage rise signal based on lifting; the first voltage lifting circuit, the the first voltage lifting circuit configuration is based on the first voltage rise signal will transform the first node voltage boost for the first bias voltage, wherein the first delay circuit is configured to have a first predetermined time delay between the feedback signal of the first transmission circuit and the first voltage signal. The negative boost circuit of the invention has more efficient negative boost circuit, and the semiconductor device and electronic device of the invention have better performance of reading operation.

【技术实现步骤摘要】
一种负升压电路、半导体器件及电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种负升压电路、半导体器件及电子装置。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。PMOS类型的快速存储器需要负的升压电路(negativeboostcircuit)，用于利用0V或VDD(工作电压，例如为1.2V)偏压生成负偏压(例如为-1.2V)，以用于进行读操作。在低电源应用中，常用的是两阶负升压电路(dualstagenegativeboostcircuit)，其基本原理是：当施加使能信号后，首先在第一偏压信号作用下，进行第一阶段的升压生成第一负偏压，当完成第一阶段的升压之后，进行第二阶段的升压，将第一负偏压升压为目标负偏压。然而，目前的两阶负升压电路，在第一阶段和第二阶段的升压中存在传输晶体管使能和偏压施加动作重叠的问题，即传输晶体管关闭之前偏压已经施加的问题，这使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：第一传输电路，所述第一传输电路配置为将基准信号传输至第一升压节点；第一延时电路，所述第一延时电路配置为基于所述第一传输电路的反馈信号和第一抬升使能信号生成第一电压抬升信号；第一电压抬升电路，所述第一电压抬升电路配置为基于所述第一电压抬升信号将所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压，其中所述第一延时电路配置为使所述第一传输电路的反馈信号和所述第一电压抬升信号之间具有第一预定延时。

【技术特征摘要】
1.一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：第一传输电路，所述第一传输电路配置为将基准信号传输至第一升压节点；第一延时电路，所述第一延时电路配置为基于所述第一传输电路的反馈信号和第一抬升使能信号生成第一电压抬升信号；第一电压抬升电路，所述第一电压抬升电路配置为基于所述第一电压抬升信号将所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压，其中所述第一延时电路配置为使所述第一传输电路的反馈信号和所述第一电压抬升信号之间具有第一预定延时。2.根据权利要求1所述的负升压电路，其特征在于，所述第一传输电路包括第一传输晶体管和第一电压反馈节点，所述第一传输晶体管的源端与所述基准信号连接，所述第一传输晶体管的漏端与所述第一升压节点连接，所述第一传输晶体管的栅端与所述第一电压反馈节点连接。3.根据权利要求2所述的负升压电路，其特征在于，所述第一传输电路还包括第一开关晶体管和第二开关晶体管，所述第一开关晶体管的源端与工作电源连接，所述第一开关晶体管的漏端与所述第一电压反馈节点连接，所述第一开关晶体管的栅端与第一传输使能信号连接，所述第二开关晶体管的源端与所述第一电压反馈节点连接，所述第二开关晶体管的漏端与所述第一升压节点连接，所述第二开关晶体管的栅端与所述第一传输使能信号连接，所述第一传输使能信号配置为使所述第一开关晶体管关断，第二开关晶体管导通。4.根据权利要求3所述的负升压电路，其特征在于，所述第一抬升电路包括第一抬升电容，所述第一抬升电容第一端与所述第一升压节点连接，第二端与所述第一电压抬升信号连接，所述第一延时电路配置为在所述第一传输晶体管关断之后使所述第一电压抬升信号由高电平转变为低电平，以使所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压。5.根据权利要求4所述的负升压电路，其特征在于，所述第一延时电路包括第一反相器、第二反相器、或非门和第三反相器，其中所述第一反相器输入端与所述第一电压反馈节点连接，输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与所述或非门的第一输入端连接，所述或非门的第二输入端与所述第一抬升使能信号连接，所述或非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端输出所述第一电压抬升信号。6.根据权利要求1-5任意一项所述的负升压电路，其特征在于，还包括：第二传输电路，所述第二传输电路配置为将所述第一升压节点的信号传输至第二升压节点；第二延时电路，所述第二延时电路配置为基于所述第二传输电路的反馈信号和第二抬升使能信号生成第二电压抬升信号；第二电压抬升电路，所述第二电压抬升电路配置为基于所述第二电压抬升信号将所述第二升压节点的电压由所述第一阶负偏压转变为...

【专利技术属性】
技术研发人员：權彞振，倪昊，郑晓，殷常伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31