悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法技术

本发明专利技术涉及的悬浮液，含有磨粒和水，磨粒含有4价氢氧化铈粒子，且在将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液中，对于波长500nm的光有50％/cm以上的光透过率。本发明专利技术涉及的研磨液，含有磨粒、添加剂和水，磨粒含有4价氢氧化铈粒子，且在将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液中，对于波长500nm的光有50％/cm以上的光透过率。

Grinding methods of suspension, lapping liquid, abrasive and substrate using them

The suspension relates to abrasive particles and water. The abrasive grains contain 4 valence cerium oxide particles, and the content of the abrasive particles is adjusted to 1 mass% water dispersions, and the transmittance of 50%/cm has more than 50%/cm for the wavelength of light. The abrasive fluid of the invention contains abrasive particles, additives and water, and the abrasive grains contain 4 valence cerium oxide particles, and the content of the abrasive particles is adjusted to 1 mass% water dispersions, and the transmittance of 50%/cm has more than 50%/cm for the wavelength of light.

【技术实现步骤摘要】
悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法本申请是中国专利申请第201180005050.3号《悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法》(申请日：2011年01月20日)的分案申请，
本专利技术涉及悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法。本专利技术特别涉及半导体用途的悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法。
技术介绍
作为必须将基板表面精密且精巧的研磨加工的例子有，在用于平面显示器的玻璃、磁盘、用于半导体的硅晶圆(siliconwafer)等的基板和半导体器件制造工序中形成的绝缘膜、金属层、障壁(barrier)层等。在这些研磨中，配合各自的用途，一般使用含有例如二氧化硅、氧化铝、氧化锆或氧化铈等组成的磨粒的研磨液。上述之中，半导体元件制造工序近年来高集成化和微细化进一步进行，研磨时研磨面上发生的研磨损伤的允许尺寸进一步减小。因此，减少研磨损伤变得更加困难。为了减少研磨损伤使用各种各样的磨粒。例如，在半导体元件制造工序中，对于用于研磨氧化硅膜等无机绝缘膜的研磨液，含有作为磨粒的氧化铈的研磨液被广泛适用(例如参照专利文献1)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种悬浮液，其特征在于，含有磨粒和水，所述磨粒含有4价氢氧化铈粒子，且在将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液中，对于波长500nm的光有50％/cm以上的透光率。

【技术特征摘要】
2010.03.12 JP 2010-0562811.一种悬浮液，其特征在于，含有磨粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩野友洋，秋元启孝，成田武宪，木村忠广，龙崎大介，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP