一种超真空铯/铷注入填充系统装置及工艺流程制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种超真空铯/铷注入填充系统装置及工艺流程，本发明专利技术结构简单，使用方便，可以实现自动上料滴注填充，且设置有全自动定位盘及相对应铯/铷注入填充器可以准确的进行填充，填充迅速，不易氧化，成品率高，成本低，操作简单，可以大规模生产，利用本发明专利技术的工艺生产的芯片应用到现有电子设备，可以使现有电子设备的时间频率精度和稳定性得到很大提升，可以更广泛和更好的应用于GPS同步授时、航天航空导航定位、卫星及导弹精确定位、天文观测、精密仪器仪表的校准、广播电视、通讯、高速交通管理等。

An ultra vacuum cesium / rubidium injection filling system and process flow

The invention discloses an ultra vacuum / cesium rubidium injecting device and system process, the invention has the advantages of simple structure, convenient use, can realize automatic feeding drip filling, and is provided with automatic positioning plate and the corresponding CS / RB injection filling device can accurately fill, fill quickly, easily oxidized high yield, low cost, simple operation, can be mass production, using the chip applied to existing electronic equipment production and the process of the present invention, the time frequency accuracy and stability of the existing electronic equipment greatly enhance the application more widely and better than GPS time synchronization, aerospace, navigation, satellite and missile precise positioning, astronomical observation, precision instrument calibration, broadcasting, communications, high-speed traffic management etc..

【技术实现步骤摘要】
一种超真空铯/铷注入填充系统装置及工艺流程
本专利技术涉及铯/铷注入填充
，特别涉及一种超真空铯/铷注入填充系统装置及工艺流程。
技术介绍
随着科学技术的高速发展，高端电子产品对时间和频率的精度及稳定性等方面提出了更严格的要求，由于准确度高，长期稳定性好，原子钟被广泛用于GPS同步授时、导航定位、导弹及卫星定位、天文观测、精密阀气设备校准、通讯、高速交通管理、地球物理勘探等领域。但是传统原子钟体积大、功耗高、价格昂贵，使其在手持电子设备中的应用受到限制，需要一种芯片级原子钟铯/铷超真空注入填充系统为铯/铷芯片开发应用提供一种新途径，且现有的试验室超真空系统多采用人工滴注填充，填充时易氧化，成品率低，成本高，操作难度大，不能规模化生产。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种超真空铯/铷注入填充系统装置，本专利技术结构简单，使用方便，可以实现自动上料滴注填充，且设置有全自动定位盘及相对应铯/铷注入填充器可以准确的进行填充，填充迅速，不易氧化，成品率高，成本低，操作简单，可以大规模生产。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术手段：本专利技术提供一种超真空铯/铷注入填充系统装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，包括底座、不锈钢箱体，所述不锈钢箱体设置在底座上，所述不锈钢箱体包括上部箱体、下部箱体，所述下部箱体上设置有硅片送入口，所述硅片送入口连接有第一硅片输送装置，所述第一硅片输送装置将硅片输送到硅片全自动定位盘，所述上部箱体内部设置有与硅片全自动定位盘相对应的铯/铷注入填充器，所述铯/铷注入填充器上设置有加热器，所述铯/铷注入填充器通过导轨座微系统装置与设置在上部箱体内部上端的第一导轨连接，所述硅片全自动定位盘通过第二硅片输送装置将硅片输送到二次键合平台，所述二次键合平台上部对应设置有硅片静电键合系统装置，所述二次键合平台通过第二硅片输送装置将硅片输送...

【技术特征摘要】
1.一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，包括底座、不锈钢箱体，所述不锈钢箱体设置在底座上，所述不锈钢箱体包括上部箱体、下部箱体，所述下部箱体上设置有硅片送入口，所述硅片送入口连接有第一硅片输送装置，所述第一硅片输送装置将硅片输送到硅片全自动定位盘，所述上部箱体内部设置有与硅片全自动定位盘相对应的铯/铷注入填充器，所述铯/铷注入填充器上设置有加热器，所述铯/铷注入填充器通过导轨座微系统装置与设置在上部箱体内部上端的第一导轨连接，所述硅片全自动定位盘通过第二硅片输送装置将硅片输送到二次键合平台，所述二次键合平台上部对应设置有硅片静电键合系统装置，所述二次键合平台通过第二硅片输送装置将硅片输送至硅片送出口，所述上部箱体上设置有氮气/氩气入口、维修检查孔、操作视镜孔、检修口管道，所述检修口管道上设置有真空传感器、压力传感器、抽真空口。2.根据权利要1所述的一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，所述第一硅片输送装置在不锈钢箱体内部，包括第一硅片储存柜、第一电动升降平台、第一硅片递送器装置，所述第一硅片储存柜设置在下部箱体左侧与所述硅片送入口相对应连通，所述第一硅片储存柜内部设置有第一电动升降平台，所述第一电动升降平台底部与底座连接，所述第一硅片递送器装置与第一电动升降平台相对应设置在第一硅片储存柜上部。3.根据权利要2所述的一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，所述第一硅片递送器装置包括第一吸盘升降座、第一吸盘升降杆、第一硅片吸盘，所述第一吸盘升降座通过第二导轨装置与上部箱体连接，所述第一吸盘升降杆设置在第一吸盘升降座上，所述第一吸盘升降杆上部连接有第一吸盘升降控制系统装置，所述所述第一吸盘升降杆下端设置有第一硅片吸盘，所述第一硅片吸盘与第一电动升降平台相对应。4.根据权利要1所述的一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，所述第一导轨包括X轴导轨、Y轴导轨、Z轴导轨三个方位导轨装置。5.根据权利要1所述的一种超真空铯/铷注入填充系统装置，其特征在于，所述硅片全自动定位盘、二次键合平台对应设置在第二导轨装置上，所述硅片全自动定位盘通过电机装置在第二导轨装置上移...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴明，
申请(专利权)人：周兴明，
类型：发明
国别省市：云南,53