一种背光检测光电二极管结构及其加工方法技术

本发明专利技术涉及光器件技术领域，提供了一种背光检测光电二极管结构及其加工方法。结构中衬底10上生长有缓冲层20、光吸收层30、帽层40和接触层50，结构还包括：位于所述衬底10的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面91，其中所述弧面91的曲率为30‑60°；所述衬底10的弧面91生长有抗反射层90。本发明专利技术设计一种背光检测光电二极管结构，通过腐蚀出特殊的台型(即所述带预设曲率的弧面91的衬底10)，解决电吸收调制激光器在蝶型封装中遇到耦合的问题，并采用端面镀膜工艺(即生长抗反射层90)，提升光电二极管响应度，提高背光检测效率。

A backlight detection photodiode structure and its processing method

The invention relates to the field of light device technology, and provides a backlight detection photodiode structure and a processing method. In the structure of a buffer layer on the substrate 10 growth 20, light absorption layer 30, cap layer 40 and contact layer 50, located in the structure also includes a substrate 10 receiving surface are arranged on one side along the preset curvature of the arc surface 91, wherein the surface curvature of 91 to 30 60 degrees; the substrate surface 10 91 of the students have long anti reflective layer 90. The invention relates to a backlight detection photoelectric diode structure, through a special type of corrosion (i.e., the curvature of the surface with preset 91 of the substrate 10), to solve the problems encountered in the electro absorption modulated laser coupling butterfly package, and an end face coating process (i.e. the growth of anti reflection layer 90), improve the photoelectric the diode response, improve the detection efficiency of the backlight.

【技术实现步骤摘要】
一种背光检测光电二极管结构及其加工方法
本专利技术涉及光器件
，特别是涉及一种背光检测光电二极管结构及其加工方法。
技术介绍
随着光纤信息业的飞速发展，长距离光纤通信中，色散损耗和啁啾现象已经成为制约技术发展重要因素。电吸收调制激光器(Electlro-absorptionModulatedLaser，简写为：EML)正是因为拥有良好的抑制啁啾能力和低的传输代价日益受到关注。然而，电吸收调制激光器一般采用蝶型封装加半导体制冷器，不同于传统的TO封装，电吸收调制激光器和背光检测光电二极管必须水平贴片，所以就无法使用传统正面进光的光电二极管，而要侧面进光光电二极管。一般侧面进光光电二极管均是台面结构，波导耦合进光。这一方面台面结构制造工艺困难，可靠性差，另一方面耦合比较困难，响应度低，所以一般也不适用。鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题是现有技术中侧面进光光电二极管均是台面结构，波导耦合进光，一方面台面结构制造工艺困难，可靠性差，另一方面耦合比较困难，响应度低。本专利技术实施例采用如下技术方案：第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背光检测光电二极管结构，结构中的衬底(10)上生长有缓冲层(20)、光吸收层(30)、帽层(40)和接触层(50)，其特征在于，结构还包括：位于所述衬底(10)的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面(91)，其中所述弧面(91)的曲率为30‑60°；所述衬底(10)的弧面(91)生长有抗反射层(90)。

【技术特征摘要】
1.一种背光检测光电二极管结构，结构中的衬底(10)上生长有缓冲层(20)、光吸收层(30)、帽层(40)和接触层(50)，其特征在于，结构还包括：位于所述衬底(10)的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面(91)，其中所述弧面(91)的曲率为30-60°；所述衬底(10)的弧面(91)生长有抗反射层(90)。2.根据权利要求1所述的背光检测光电二极管结构，其特征在于，所述弧面(91)的曲率半径为100μm-200μm，其曲率半径是根据所适配的激光器的探测光出光口的高度选定。3.根据权利要求1所述的背光检测光电二极管结构，其特征在于，所述衬底(10)材料为N+型InP，所述抗反射层(90)材料厚度为的Si3N4。4.根据权利要求3所述的背光检测光电二极管结构，其特征在于，所述衬底(10)的背光面一侧还设置有反射面(110)，所述反射面(110)为多层的SiO2和的TiO2依次层叠形成。5.根据权利要求3所述的背光检测光电二极管结构，其特征在于，所述帽层(40)具体为I型InP时，帽层(40)的中间扩散形成P型扩散弧形区域(70)，所述的P型扩散弧形区域(70)的外环，且位于所述帽层(40)的表面还设置有扩散阻挡层(60)；所述接触层(50)具体为P+型InGaAs接触环，所述接触环上还设置有金属接触层(80)，所述接触环和金属接触层构成欧姆接触；所述衬底(10)的底部还设置有金属接触层(100)。6.一种背光检测光电二极管加工方法，其特征在于，所述加工方法的对象为外延片，所述外延片从下到上依次包括衬底(10)、长有缓冲层(20)、光吸收层(30)、帽层(40)和接触层(50)，则所述加工方法包括：基于光刻和腐蚀工艺，制作环形的P-InGaAs接触环(50)；利用等离子增强化学气相沉积淀积...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡艳，岳爱文，王权兵，林玲，钟行，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42