台面PIN的侧面钝化结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种台面PIN的侧面钝化结构，包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。本实用新型专利技术提供使用了和芯片材料相同的本征InP对台面侧面进行掩埋，在满足了芯片光电性能的同时克服了暗电流不可控、高温可靠性差等问题，给台面类型的高速接收芯片的制备工艺提供了一种新的方法。

【技术实现步骤摘要】
台面PIN的侧面钝化结构
本技术涉及光纤通讯
，尤其涉及一种台面PIN的侧面钝化结构。
技术介绍
现有的台面PIN的侧面钝化技术主要为开孔扩散技术、生长介质薄膜、涂覆有机薄膜以及离子注入钝化面方式。使用开孔扩散的“准台面”工艺就像常规的平面PIN一样会在P++与i-InP的接触面形成较大的寄生电容，不具备较好的带宽效应，该工艺芯片常常应用于准高速系统中。生长介质薄膜主要包括PECVD方式生长SIO2/SINx薄膜，工艺简单，缺点在于SIO2/SINx的非晶结构很难与台面材料InP/InGaAs进行晶格匹配，并且等离子状态下的生长工艺很容易造成台面材料氧化，进一步劣化芯片的Id性能。涂覆有机薄膜的材料主要是BCB，该材料具有很小的介电常数，能够得到很好的电容效应，但是由于BCB的导热性能较差，从而造成芯片的高温Id特性较差，并且ESD阈值很小，芯片抗电冲击能力很差，导致芯片的长期可靠性能较差，在使用过程中失效风险较大。另外BCB的制备与存储较麻烦，工艺重复性不高，造成工艺复杂，成品率低。离子注入主要通过注入H+、O+、He+的方式形成高阻区，该方案的主要缺点在于用于离子注入的设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。

【技术特征摘要】
1.一种台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。2.如权利要求1所述的台面PIN的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，唐琦，许海明，
申请(专利权)人：武汉光安伦光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42