一种通信激光器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及通信芯片半导体技术领域，具体涉及一种通信激光器及其制作方法，包括如下步骤：S1、采用PECVD的方法在Wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括自下而上依次设置的Si3N4膜层、梯度SiNO

【技术实现步骤摘要】
一种通信激光器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及通信芯片半导体
，具体涉及一种通信激光器及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着通信激光器半导体的市场发展，数字产品的更新换代，电子产品的高智能体验，人们对高容量、高速率信息的通信传输要求越来越高，网络高带宽的需求也越来越高，而通信激光器作为通信系统的核心部件，提升高速率高带宽激光器芯片也成为必然。目前提升通信激光器的调制带宽的主流方向是在降电容、缩腔长方向，但是随着行业的大量优化，该方向已渐渐达到瓶颈，而提升载流子增益和光子密度对芯片材料的设计和制作较高，费时费力，因此，有必要设计一种新的通信激光器及其制作方法，以进一步提升芯片带宽。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种通信激光器及其制作方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的技术方案为一种通信激光器的制作方法，包括如下步骤：
[0005]S1、采用PECVD的方法在Wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通信激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采用PECVD的方法在Wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括自下而上依次设置的Si3N4膜层、梯度SiNO
x
膜层、SiO2膜层、梯度SiON
x
膜层、Si3N4膜层；S2、光刻后采用RIE干法刻蚀工艺完成厚介质膜限制层图形制作。2.如权利要求1所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：所述Si3N4膜层的厚度为0.15～0.3um，所述梯度SiNO
x
膜层的厚度为0.4～06um，所述SiO2膜层的厚度为0.8～1.2um，所述梯度SiON
x
膜层的厚度为0.4～06um；所述梯度SiNO
x
膜层和梯度SiON
x
膜层中的x均逐渐增大。3.如权利要求1所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤S1的具体方法如下：S11、将待生长厚介质膜限制层的Wafer进行清洗前处理，然后放入PECVD设备中抽真空，腔体加热至250～350℃；S12、待达到真空度后对生长厚介质膜限制层的Wafer正面先进行等离子渗氮处理；S13、在经步骤S12处理后的Wafer正面先生长一层Si3N4膜层，其中反应气体为SiH4和NH3；S14、在完成步骤S13的生长工艺后，继续生长梯度SiNO
x
膜层，其中反应气体为N2O和SiH4；S15、在完成步骤S14的生长工艺后，继续生长一层SiO2膜层，其中反应气体为N2O和SiH4；S16、在完成步骤S15的生长工艺后，继续生长梯度SiON
x
膜层，其中反应气体为N2O和SiH4；S17、在完成步骤S16的生长工艺后，最后再生长一层Si3N4膜层，其中反应气体为SiH4和NH3；完成厚介质膜限制层的生长。4.如权利要求3所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤S12中的等离子渗氮的工艺条件包括：真空度0.9
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1.0mTorr，N2流量800～1200sccm，等离子功率25～35W，时间4～8m...

【专利技术属性】
技术研发人员：游顺青，葛婷，许海明，
申请(专利权)人：武汉光安伦光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：