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本发明涉及通信芯片半导体技术领域，具体涉及一种通信激光器及其制作方法，包括如下步骤：S1、采用PECVD的方法在Wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括自下而上依次设置的Si3N4膜层、梯度SiNO
该专利属于武汉光安伦光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光安伦光电技术有限公司授权不得商用。

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