一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构，包括真空室、阳极和阴极，所述真空室底板上且位于阳极旁设有加热源，所述加热源的内部装有掺低熔点金属材料，所述加热源上部有弧形喷嘴，所述掺低熔点金属材料受加热源的加热熔化从弧形喷嘴喷出。本方案通过加热源将低熔点金属材料加热从弧形喷嘴喷出，通过更换不同低熔点金属材料及调节加热源功率，从而使真空镀膜薄膜掺低熔点金属更为高效、便捷、低成本。低成本。低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构


[0001]本技术涉及一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构。

技术介绍

[0002]公知的，随着科学技术的飞速发展，PECVD薄膜掺低熔点金属材料的技术已经得到普遍应用。薄膜掺金属是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他金属元素或化合物。掺低熔点金属材料可以使材料、基质产生特定的电学、磁学和光学等性能，从而使其具有特定的价值或用途。
[0003]在镀制薄膜时，膜层的掺低熔点金属是一个重要的问题，膜层的掺金属不好，会严重影响膜系的特性，它与掺金属元素的方式有关，现有的薄膜掺金属主要采用气相沉积或者预先混在被镀材料中，但是这样对混料的设备要求非常高，因此，提出一种能够稳定地增加效率和降低成本的掺金属结构，成为本领域技术人员的基本诉求。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构。
[0005]为解决上述问题，本技术采用如下的技术方案。
[0006]一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构，包括真空室、阳极和阴极，所述真空室底板上且位于阳极旁设有加热源，所述加热源的内部装有掺低熔点金属材料，所述加热源上部有弧形喷嘴，所述掺低熔点金属材料受加热源的加热熔化从弧形喷嘴喷出。
[0007]相比于现有技术，本技术的优点在于：
[0008]本方案通过加热源将低熔点金属材料加热从弧形喷嘴喷出，通过更换不同低熔点金属材料及调节加热源功率，从而使真空镀膜薄膜掺低熔点金属更为高效、便捷、低成本。
附图说明
[0009]图1为本技术的结构示意图。
[0010]图中标号说明：
[0011]1、阴极；2、阳极；3、真空室；4、加热源；5、弧形喷嘴；6、掺低熔点金属材料。
具体实施方式
[0012]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；
[0013]请参阅图1，一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构，包括真空室3、阳极2和阴极1，真空室3底板上且位于阳极2旁设有加热源4，加热源4的内部装有掺低熔点金属材料6，加热源4上部有弧形喷嘴5，掺低熔点金属材料6受加热源4的加热熔化从弧形喷嘴5喷出，实现薄膜掺低熔点金属元素。
[0014]上述结构，在使用时，根据需要调整弧形喷嘴5的角度和形状，进行固定，抽真空、打开加热源4，通过加热源4加热掺低熔点金属材料6来实现掺低熔点金属，即可获取非常高效、均匀、高质量的掺低熔点金属薄膜。
[0015]本技术未详述部分为现有技术。
[0016]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式；但本技术的保护范围并不局限于此。任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD薄膜掺低熔点金属材料真空镀膜结构，包括真空室(3)、阳极(2)和阴极(1)，其特征在于：所述真空室(3)底板上且位于阳极(2)旁设有加热源(4)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹杨，孙蕾，邹松东，
申请(专利权)人：洛阳奥尔材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：