一种超宽带减反膜及其制备方法技术

技术编号:16647129 阅读:52 留言:0更新日期:2017-11-26 22:34
本发明专利技术公开一种超宽带减反膜及其制备方法,包括衬底;衬底表面形成有微孔阵列;微孔阵列上制备有一层ITO纳米线薄膜。本发明专利技术利用激光微加工技术在衬底表面制备一定间距阵列的微孔结构,再在其上制备一层氧化铟锡纳米线薄膜,使其完全覆盖微孔阵列。这样的减反膜既具有良好的透过性又兼具良好的导电性,同时实现了400‑2500nm波段(带宽大于5)的有效减反。本发明专利技术的制备方法通过对太阳能电池表面的处理,利用微孔阵列结合新型纳米线材料实现超宽带范围内光谱的减反,为太阳能电池效率的提高提供了一种有效的工业级制备手段。

An ultra wideband antireflection coating and its preparation method

The invention discloses an ultra wideband antireflection coating and a preparation method thereof, including a substrate, a microporous array formed on the substrate surface, and a layer of ITO nanowire film prepared on the micro hole array. The micro pore structure of a certain spacing array is prepared on the substrate surface by laser micro processing technology, and then an indium tin oxide nanowire film is prepared on the substrate surface so as to completely cover the microporous array. This antireflection coating has good permeability and has good conductivity, while achieving a 400 2500nm band (bandwidth greater than 5) of the effective anti. The preparation method of the invention can be used to treat the solar cell surface, and the micro array combined with the new nanowire material can realize the reduction of the spectrum in the ultra wide band, which provides an effective industrial level preparation method for the improvement of the efficiency of the solar cell.

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带减反膜及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池减反膜领域,尤其涉及一种太阳能电池减反膜及其制备方法。
技术介绍
随着太阳能电池产业的发展,提高太阳能电池的效率近年来引起了人们极大的关注。为了提高太阳能电池的转化效率,太阳能电池的表面要求必须具有很强的抗反射能力,这样才能使更多的太阳光被吸收。因此,抗反射涂层得到了广泛的研究和应用。传统的抗反射涂层(减反涂层)是由一个1/4波长厚的单层膜组成,这种单层减反涂层只针对特定波长或较窄的波段,因此在很宽的波长范围内不能起到很好的减反作用,导致太阳能电池的转化效率很低。在理论上,可以采用渐变折射率涂层来实现宽波段的减反,但是具有渐变折射率的多层结构制备工艺比较复杂同时材料的选择也比较困难。目前,表面粗化是最常用的一种减反方法,通常采用干湿法刻蚀的方式在表面制备微纳结构以达到粗化表面的效果。这种方法能够有效地减少可见光波段的反射率,但在更宽的光波段,尤其是在红外波段减反效果并不明显。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超宽带减反膜及其制备方法,以解决上述技术问题。本专利技术简便且适合工业制备;本专利技术利用激光微加工技术在衬底表面(以本文档来自技高网...
一种超宽带减反膜及其制备方法

【技术保护点】
一种超宽带减反膜,其特征在于,包括衬底;衬底表面形成有微孔阵列;微孔阵列上制备有一层ITO纳米线薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种超宽带减反膜,其特征在于,包括衬底;衬底表面形成有微孔阵列;微孔阵列上制备有一层ITO纳米线薄膜。2.根据权利要求1所述的一种超宽带减反膜,其特征在于,所述衬底为Si衬底或者GaN衬底。3.根据权利要求1所述的一种超宽带减反膜,其特征在于,微孔阵列中微孔孔径5~10μm,孔深8~16μm,呈现锥状;微孔的孔间距为10μm-50μm。4.根据权利要求1所述的一种超宽带减反膜,其特征在于,聚苯乙烯小球的直径为670nm。5.根据权利要求1所述的一种超宽带减反膜,其特征在于,ITO纳米线薄膜的制备方法为:利用电子束蒸镀的方式,采用In:Sn=95:5的ITO靶材,速率为0.1nm/s,温度为300℃,进行蒸镀20分钟,制备ITO纳米线薄膜,实现整个微孔的覆盖,方块电阻为150~200Ω/sq,在可见光范围内透光率大于80%。6.根据权利要求1所述的一种超宽带减反膜,其特征在于,所述超宽带减反膜能够在400-2500nm波段,实现带宽大于5的有效减反。7.一种超宽带减反膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)衬底的清洗处理:将衬底材料清洁干净;2)微孔阵列的制备:将清洗干净的衬底固定于二维电动位移台上,采用脉冲激光对衬底表面进行微孔烧蚀,获得微孔阵列;3)ITO纳米线膜的制备:采用自组装的方式在微孔阵列的衬底表面平铺一层聚苯乙烯小球,然后进行自然晾干;利用电子束蒸镀的方式,利用聚苯乙烯小球作为辅助材料制备一层...

【专利技术属性】
技术研发人员:李强王帅云峰
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:陕西,61

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