一种太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池，所述电池包括太阳能基板和电极；所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层，所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间；所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面，连接所述掺杂层；所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面，连接所述衬底层；上述太阳能电池，通过在衬底层的背面制备一层氧化硅膜层来提高电池背面抗PID的能力；本发明专利技术还公开了一种太阳能电池的制备方法，同样具有上述有益效果。

A solar cell and its preparation method

The invention discloses a solar battery, the solar battery comprises substrate and electrode; the solar substrate comprises a substrate layer, a substrate layer is arranged on the front of the doped layer is disposed on the substrate layer on the back of the first silicon oxide layer and the passivation layer, the first silicon oxide layer is disposed between the substrate layer and the passivation layer; the electrode comprises a first electrode and a second electrode, the first electrode is arranged on the front of the solar substrate, connecting the doped layer; the second electrode is arranged at the back of the solar substrate, connecting the substrate layer; the solar cell, through the back in the substrate layer with a layer of silicon oxide film on the back of the battery to improve the anti PID; the invention also discloses a preparation method of a solar cell, has the same beneficial effect.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及制备方法
本专利技术涉及光伏电池领域，特别是涉及一种P型太阳能电池的制备方法及电池。
技术介绍
随着晶硅太阳能电池技术的不断革新，目前有关电池技术也得到了显著的发展，近年来电池也开始进行产业化的生产。但是如何让太阳能电池抗PID(potentialInducedDegradation中文名：潜在电势诱导衰减)，尤其是让太阳能电池背面抗PID这一技术难题一直是困扰着各公司。对于太阳能电池的背面，通常是设有氧化铝膜层作为钝化层，以减少太阳能电池背面的载流子复合。但是当太阳能电池长时间在高电压下工作，可能会使得太阳能电池与封装材料之间形成漏电流。当大量的电荷聚集在太阳能电池的表面时，会使得太阳能电池表面的钝化层的钝化效果恶化，从而加剧太阳能电池背面的载流子复合，从而降低太阳能电池的FF(填充因子)、Jsc(短路电流)、Voc(开路电压)。有关所述漏电流的形成，通常是由于水蒸气进入封装材料与太阳能电池之间后，会发生反应生成带电离子，并且由于太阳能电池的边框通常是接地的，会存在偏压，在偏压的作用下，会产生漏电流。长期的漏电流会腐蚀太阳能电池的钝化层，从而降低太阳能电池的FF、J本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，所述电池包括太阳能基板和电极；所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层，所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间；所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面，连接所述掺杂层；所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面，连接所述衬底层。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述电池包括太阳能基板和电极；所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层，所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间；所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面，连接所述掺杂层；所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面，连接所述衬底层。2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述电池还包括设置在N型掺杂层表面的第二氧化硅膜层。3.根据权利要求2所述的电池，其特征在于，所述电池还包括减反膜，所述减反膜设置在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层表面。4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述衬底层为硅衬底层。5.根据权利要求4所述的电池，其特征在于，所述衬底层为P型硅衬底层，所述掺杂层为N型掺杂层。6.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第一氧化硅膜层的厚度的取值范围为：5nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海杰，郑霈霆，金浩，张昕宇，许佳平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33