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本发明涉及光器件技术领域，提供了一种背光检测光电二极管结构及其加工方法。结构中衬底10上生长有缓冲层20、光吸收层30、帽层40和接触层50，结构还包括：位于所述衬底10的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面91，其中所述弧面91的曲率为30...
该专利属于武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉电信器件有限公司授权不得商用。

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