大密封腔体的高压直流继电器制造技术

技术编号:16729760 阅读:43 留言:0更新日期:2017-12-06 03:47
本实用新型专利技术公开了一种大密封腔体的高压直流继电器,包括用于形成灭弧腔体的陶瓷密封外壳,所述陶瓷密封外壳上端面上设有两个用于穿设高压直流继电器的一对静触点的通孔,所述陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片的凹槽。该大密封腔体的高压直流继电器通过在陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片的凹槽,从而可以将陶瓷外壳的尺寸做到最大,在相同结构尺寸下使继电器拥有更大的灭弧腔体,提高继电器的灭弧性能和高压直流继电器的电气寿命。

【技术实现步骤摘要】
大密封腔体的高压直流继电器
本技术涉及一种高压直流继电器,尤其涉及一种大密封腔体的高压直流继电器。
技术介绍
现有的陶瓷密封高压直流继电器,基本采用陶瓷密封腔体并充以灭弧气体的结构,由于结构尺寸的限制,密封腔体并不能做的很大,这势必影响继电器断开时产生的电弧的拉长冷却并最终熄灭,同时电弧产生的金属粉尘也会对陶瓷密封腔体造成绝缘强度的破坏,更有甚者高能量的电弧直接使陶瓷密封腔体内壁烧损或者变薄造成密封结构破坏,这些都严重影响高压直流继电器的电气寿命。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本技术提供了一种大密封腔体的高压直流继电器,具有更大的灭弧腔体,改善灭弧性能,提高继电器的电气寿命。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种大密封腔体的高压直流继电器,包括用于形成灭弧腔体的陶瓷密封外壳,所述陶瓷密封外壳上端面上设有两个用于穿设高压直流继电器的一对静触点的通孔,所述陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片的凹槽。作为本技术的进一步改进,所述凹槽为阶梯槽。作为本技术的进一步改进,所述凹槽为两个依次连接的弧形槽。本技术的有益效果是:该大密封腔体的高压直流继电器通过在陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片的凹槽,从而可以将陶瓷外壳的尺寸做到最大,在相同结构尺寸下使继电器拥有更大的灭弧腔体,提高继电器的灭弧性能和高压直流继电器的电气寿命。附图说明图1为本技术结构示意图;图2为本技术所述陶瓷密封外壳结构示意图。结合附图,作以下说明:1——陶瓷密封外壳2——静触点3——通孔4——输出连接片5——凹槽具体实施方式以下结合附图,对本技术的一个较佳实施例作详细说明。但本技术的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本技术申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本技术专利涵盖范围之内。一种大密封腔体的高压直流继电器,包括用于形成灭弧腔体的陶瓷密封外壳1,所述陶瓷密封外壳上端面上设有两个用于穿设高压直流继电器的一对静触点2的通孔3,所述陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片4的凹槽5。其中,所述凹槽为阶梯槽,所述凹槽为两个依次连接的弧形槽。该大密封腔体的高压直流继电器通过在陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片的凹槽,从而可以将陶瓷外壳的尺寸做到最大,在相同结构尺寸下使继电器拥有更大的灭弧腔体,提高继电器的灭弧性能和高压直流继电器的电气寿命。本文档来自技高网...
大密封腔体的高压直流继电器

【技术保护点】
一种大密封腔体的高压直流继电器,包括用于形成灭弧腔体的陶瓷密封外壳(1),所述陶瓷密封外壳上端面上设有两个用于穿设高压直流继电器的一对静触点(2)的通孔(3),其特征在于:所述陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有用于避让一对所述静触点的输出连接片(4)的凹槽(5)。

【技术特征摘要】
1.一种大密封腔体的高压直流继电器,包括用于形成灭弧腔体的陶瓷密封外壳(1),所述陶瓷密封外壳上端面上设有两个用于穿设高压直流继电器的一对静触点(2)的通孔(3),其特征在于:所述陶瓷密封外壳的上端面位于一对通孔的左右两侧边分别设有...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴丁志罗雨徐联芳李俊锋
申请(专利权)人:尼普顿电器昆山有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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