半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法。本发明专利技术通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

Manufacturing methods of semiconductor devices

The invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device. The invention provides a high reliability semiconductor device by giving a stable electrical characteristic to a semiconductor device using an oxide semiconductor. As the manufacturing process of the transistor, in turn forming an oxide semiconductor layer, a source electrode layer and a drain electrode, a gate insulating layer and the electrode layer of alumina film, gate, through the heat treatment of the oxide semiconductor layer and alumina film, removing impurities containing hydrogen atoms, and the formation of including an oxide semiconductor layer containing more than stoichiometric oxygen area. In addition, through the formation of alumina film, heat treatment even in the manufacturing process of semiconductor device having the same or electronic equipment in, can also prevent from atmospheric water or hydrogen invaded and spread to the oxide semiconductor layer, thereby producing high reliability crystal tube.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法本申请是申请日为2012年4月6日、申请号为201210098750.8、专利技术名称为“半导体装置的制造方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。另外，在本说明书中半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
近年，使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术备受关注。该晶体管被广泛地应用于集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子设备。作为可以用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料广为周知，除此之外，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，已经公开有一种作为活性层使用电子载流子浓度低于1018/cm3的包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献1)。[专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报但是，氧化物半导体在装置制造工序中有可能由于形成电子给体的氢或水的混入等或氧从氧化物半导体脱离导致导电率变化。该现象是导致使用氧化物半导体的晶体管的电特性变动的主要原因。尤其是，由于具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行第一热处理；在所述氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层；在所述氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极层；在所述栅电极层和所述栅极绝缘膜上形成氧化铝膜；在形成所述氧化铝膜之后进行第二热处理，其中在所述第一热处理期间惰性气体转变为含氧气体。

【技术特征摘要】
2011.04.06 JP 2011-0843891.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行第一热处理；在所述氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层；在所述氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极层；在所述栅电极层和所述栅极绝缘膜上形成氧化铝膜；在形成所述氧化铝膜之后进行第二热处理，其中在所述第一热处理期间惰性气体转变为含氧气体。2.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行第一热处理；在所述氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层；在所述氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极层；在所述栅电极层和所述栅极绝缘膜上形成氧化铝膜；在形成所述氧化铝膜之后进行第二热处理，其中所述氧化铝膜包括厚度大于50nm且为500nm以下的区域，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤裕平，佐藤惠司，佐佐木俊成，丸山哲纪，矶部敦生，村川努，手塚祐朗，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP