【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备白光LED荧光粉的助熔剂及制备白光LED 荧光粉的方法。技术背景Ga(In)N基发光二极管(LED)是一种新型的发光器件，具有体 积小，寿命长，节约能源等特点，广泛应用于照明和显示等领域。近 年来，蓝色和近紫外光LED的迅速发展，使得白光发光二极管有望 取代荧光灯成为21世纪的新一代光源。目前应用广泛，发射白光的LED是将约460nm发射蓝色的 Ga(In)N与发射黄光的Y3A15012: :Ce，YAG:Ce")荧光粉结合起来生 产(美国专利5,998,925和欧洲专利862,794)，其原理为YAG;Ce3+ 荧光材料吸收蓝光LED发射出的约460nm的蓝光,并将其转换为 550nm左右的黄光，二者混合从而产生白光。但是这种方法产生的白 光二极管的效率比较低， 一般为60%-86%，并且色温可调范围小， 满足不了实际照明要求。目前，白光LED被认为是最新一代光源，越来越受人们关注， 对它的封装材料一荧光粉的要求也越来越高，研究的焦点有如何提高 荧光粉的亮度，还有提供宽带激发光谱的白光LED荧光粉。通常白光LED封装用的YAG荧光粉，...
【技术保护点】
一种制备白光ＬＥＤ荧光粉的助熔剂，其特征在于：包括至少一种化合物，该化合物中所含有的金属离子与荧光粉化合物所具有的金属离子相同。
【技术特征摘要】
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