正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，该正性光刻胶组合物中包括有光致异构化合物，受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构，降低了该正性光刻胶与有机膜层间的附着力，有利于过孔形成后的剥离，提高产品的生产良率。该正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。

Positive photoresist composition, forming method of over hole, display substrate and display device

The present invention provides a positive photoresist composition, hole forming method, display substrate and display device, relates to the technical field of display, the positive photoresist composition includes light induced isomerization of compounds, ionic structure by UV irradiation structure into molecular polarity increased, reduced the positive photoresist with the organic film adhesion, which is helpful to improve the pore formation after stripping, product yield rate. The positive photoresist composition comprises main body rubber and photosensitizer, and photoisomeric compounds, and the photoisomeric compounds are transformed into an ion structure with increased molecular polarity after irradiated by ultraviolet light.

【技术实现步骤摘要】
正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
光刻工艺是薄膜晶体管阵列制造过程中必不可少的一道制程，起到图案转移的作用。在待刻蚀的洁净薄膜上涂覆光刻胶，通过软烘、曝光、显影、后烘等工序，获得设计好的掩模版图案(即光刻胶图案)，之后对光刻胶图案露出的薄膜区域进行刻蚀，形成与光刻胶图案一致的目标图案，再剥离残留的光刻胶图案，以露出该目标图案进行后续的制程。光刻制程的实施离不开光刻胶，光刻胶的主体成分是一类含光敏性基团的聚合物，在紫外光照条件下，受光照部分的光敏基团发生一系列化学变化，导致光刻胶感光部分和未受光照部分在显影液中的溶解性产生明显差异，从而在显影后形成特定的图案。薄膜晶体管阵列制造过程中通常要经过数道光刻制程，包括金属膜层制程、无机绝缘层(如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx)制程、有源层制程、ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)层制程等。目前在氧化物型阵列基板(即Oxide背板)制作工艺中，无机钝化层(PassivationLaye，PVX)上通常涂覆有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正性光刻胶组合物，所述正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；其特征在于，所述光刻胶组合物还包括，光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。

【技术特征摘要】
1.一种正性光刻胶组合物，所述正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；其特征在于，所述光刻胶组合物还包括，光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。2.根据权利要求1所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述光致异构化合物包括螺吡喃化合物、螺噁嗪化合物、氮丙啶化合物、联吡啶化合物中的至少一种。3.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述螺吡喃化合物的结构通式为，其中，所述R1基团包括，烷基链、醚链、丁基、戊基、己基、苯基、(CH2CH2O)nCH3中的任一种，n为整数，且1≤n≤5；所述R2基团包括羧基或羟基。4.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述螺吡喃化合物的结构式为，其中，n为整数，且4≤n≤10；所述R基团包括羧基或羟基。5.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述螺噁嗪化合物的结构通式为，其中，所述R1基团为CH2CH2OH；所述R2基团包括羧基或羟基。6.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述氮丙啶化合物的结构通式为，其中，所述R基团为C2H4OH。7.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述联吡啶化合物的结构通式为，其中，所述R1基团包括氢、甲基、乙基、丙基、丁基、醚链中的任一种；所述R2基团包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一种；所述R3基团包括氢、甲基、乙基、丙基、丁基、醚链中的任一种；所述R4基团包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一种。8.根据权利要求1所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述正性光刻胶组合物还包括溶剂和添加剂；其中，所述主体胶材占所述正性光刻胶组合物总重量的5％～30％；所述光敏剂占所述正性光刻胶组合物总重量的2％～5％；所述光致异构化合物占所述正性光刻胶组合物总重量的0.1％～2％；所述添加剂占所述正性光刻胶组合物总重量的0.1％～1％；所述溶剂占所述正性光刻胶组合物总重量的62％～92.8％。9.根据权利要求8所述的正性光刻胶组合物，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，苏同上，李广耀，胡迎宾，马睿，邵继峰，张扬，张建业，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11