干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。

Dry film resist, circuit wiring manufacturing method, circuit wiring, input device, and display device

The invention relates to a dry film resist, a method for manufacturing a circuit wiring, a circuit wiring, an input device, and a display device. A dry film resist that provides a circuit for designing patterns with high linearity. A dry film resist, circuit wiring manufacturing method, circuit wiring, input device, display device, the dry film resist in the temporary supporting body is provided with a positive photoresist layer of the photoresist film, the total light fog temporary supporting body is below 0.3% degrees.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置。
技术介绍
在具备静电电容型输入装置等触摸面板的显示装置(有机ElectroLuminescence(EL)显示装置、液晶显示装置等)中，在触摸面板内部设有相当于识别部的传感器的电极图案、周边布线部分、取出布线部分的布线等导电图案。通常为了形成图案化的导电层，从用于获得必要的图案形状的工序数少的理由出发，广泛使用以下方法：对于使用干膜抗蚀剂作为感光性转印材料在任意电路形成基板上设置的抗蚀剂层(感光性树脂组合物的层)，隔着具有期望图案的掩模曝光，从而使抗蚀剂层局部固化或溶解后进行显影，获得电路图案，然后通过蚀刻，在导电层上转印形成电路图案。在此，抗蚀剂层根据与光或电子束的反应方法大致分为负型和正型。就负型的抗蚀剂层而言，若被曝光则对显影液的溶解性降低，显影后曝光部会残留。就正型的抗蚀剂层而言，若被曝光则对显影液的溶解性增大，显影后曝光部被除去。由于具有与负型抗蚀剂相比容易形成高分辨率的图案的优点，因此需要正型干膜抗蚀剂。作为正型干膜抗蚀剂，已知例如专利文献1、2记载的正型干膜抗蚀剂。专利文献1中公开了一种多层抗蚀剂，其在下层光致抗蚀剂层与上层光致抗蚀剂层之间设置有具有光漂白性和/或光吸收性的中间层。专利文献1中还记载了：提供提高了多重对比度曝光的控制性、提高了多重对比度曝光效果的多层抗蚀剂。专利文献2中记载了一种膜型光分解性转印材料，其包括：支承体膜、光分解性光致抗蚀剂层、及在层叠于电路形成基板的面上形成的反射抑制层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5－66568号公报专利文献2：日本特开2009－282522号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术人对使用专利文献1及2记载的正型干膜抗蚀剂形成电路进行了研究，结果获知：在不剥离临时支承体的状态进行图案曝光时，由于起因于临时支承体的光扩散，曝光光发生扩散，引起所获得的图案的图案直线性降低的问题。正型干膜抗蚀剂由于是曝光部溶解而形成掩模像，因此在残存图案部不固化、图案直线性降低的状态下，在细线图案中特别容易引起剥离。因此，可能引起电路品质降低、电路断线及短路。因此可知，与用负型抗蚀剂形成高分辨率图案的情况相比，图案直线性降低是用正型干膜抗蚀剂形成高分辨率图案时更显著的课题。本专利技术所要解决的课题是，提供一种为容易形成高分辨率的图案的正型、且能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。此外，本专利技术所要解决的课题是，提供一种为容易形成高分辨率的图案的正型、且图案直线性高的电路布线及电路布线的制造方法。此外，本专利技术所要解决的课题是，提供一种使用该电路布线的输入装置及具备该输入装置的显示装置。用于解决课题的手段本专利技术人进行了深入研究，结果发现通过使用低雾度的临时支承体能够解决上述课题。此外发现，通过使用含有具有特定构成单元的粘合剂的抗蚀剂层，同样能够解决上述课题。另一方面，专利文献1中，没有记载多层抗蚀剂的支承体的透明性、雾度，作为抗蚀剂层的粘合剂，使用的是酚醛清漆系树脂制的市售的粘合剂。专利文献2中，仅记载了作为膜型转印材料的支承体膜，只要满足不阻碍透光性的透明性则没有特别限定，关于雾度则没有记载，就抗蚀剂层的粘合剂而言，在碱可溶性树脂中，记载了使用酚醛清漆树脂。作为用于解决上述课题的具体手段的本专利技术、及本专利技术的优选范围如下所述。[1]一种干膜抗蚀剂，其为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。[2]一种干膜抗蚀剂，其为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，酸构成单元a0具有下述通式A3所示的构成单元，通式A3：【化1】通式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31与R33或R32与R33任选连接形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示氮原子、硫原子或氧原子。[3]根据[1]所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，酸构成单元a0具有下述通式A3所示的构成单元，通式A3：【化2】通式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31与R33或R32与R33任选连接形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示氮原子、硫原子或氧原子。[4]根据[2]或[3]所述的干膜抗蚀剂，优选：通式A3中，X0为单键。[5]根据[2]～[4]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：通式A3中，Y为氧原子。[6]根据[1]所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，酸构成单元a0为羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的酸构成单元a1。[7]根据[6]所述的干膜抗蚀剂，优选：酸构成单元a1具有下述通式A1所示的构成单元，通式A1：【化3】通式A1中，R1及R2分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R1及R2中的任一个为烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1与R3或R2与R3任选连接形成环状醚，R4表示氢原子或甲基。[8]根据[6]所述的干膜抗蚀剂，优选：酸构成单元a1具有下述通式A2所示的构成单元，通式A2：【化4】通式A2中，R11及R12分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R11及R12中的任一个为烷基或芳基，R13表示烷基或芳基，R11与R13或R12与R13任选连接形成环状醚，R14分别独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧基羰基、羟基烷基、芳基羰基或环烷基。[9]根据[1]及[3]～[8]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层含有2种以上的具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物。[10]根据[1]所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层含有萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂。[11]根据[1]～[10]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层进一步含有杂环状化合物。[12]根据[1]～[11]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层进一步含有碱性化合物。[13]根据[1]～[12]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：抗蚀剂层进一步含有辐射线吸收剂。[14]根据[1]～[13]中任一项所述的干膜抗蚀剂，优选：满足以下的条件(1)和条件(2)中的至少一个，条件(1)：对于抗蚀剂层的曝光主波长，临时支承体具有80％以下的透过率；条件(2)：在临时支承体及抗蚀剂层之间具有对于抗蚀剂层的曝光主波长具有80％以下的透过率的光吸收层。[15]一种电路布线的制造方法，其包括下述(a)工序、(b)工序、(c)工序及(d)工序，(a)层叠工序，向具有基材和导电层的电路形成基板上层叠[1]～[14]中任一项所述的干膜抗蚀剂；(b)图案曝光工序，在不剥离干膜抗蚀剂的临时支承体的状态下，以图案曝光用图案进行接触图案曝光；(c)显影工序，在剥离临时支承体后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干膜抗蚀剂，其为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，所述临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。

【技术特征摘要】
2015.10.21 JP 2015-207511;2016.10.12 JP 2016-200631.一种干膜抗蚀剂，其为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，所述临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。2.一种干膜抗蚀剂，其为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，所述抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，所述(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，所述酸构成单元a0具有下述通式A3所示的构成单元，通式A3：所述通式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31与R33或R32与R33任选连接形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示氮原子、硫原子或氧原子。3.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，所述(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，所述酸构成单元a0具有下述通式A3所示的构成单元，通式A3：所述通式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31与R33或R32与R33任选连接形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示氮原子、硫原子或氧原子。4.根据权利要求2或3所述的干膜抗蚀剂，其中，所述通式A3中，X0为单键。5.根据权利要求2或3所述的干膜抗蚀剂，其中，所述通式A3中，Y为氧原子。6.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层含有(A)成分及(B)光致产酸剂，所述(A)成分为具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物，所述酸构成单元a0为羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的酸构成单元a1。7.根据权利要求6所述的干膜抗蚀剂，其中，所述酸构成单元a1具有下述通式A1所示的构成单元，通式A1：所述通式A1中，R1及R2分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R1及R2中的任一个为烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1与R3或R2与R3任选连接形成环状醚，R4表示氢原子或甲基。8.根据权利要求6所述的干膜抗蚀剂，其中，所述酸构成单元a1具有下述通式A2所示的构成单元，通式A2：所述通式A2中，R11及R12分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R11及R12中的任一个为烷基或芳基，R13表示烷基或芳基，R11与R13或R12与R13任选连接形成环状醚，R14分别独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧基羰基、羟基烷基、芳基羰基或环烷基。9.根据权利要求1或3所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层含有2种以上的具有酸基被酸分解性基团保护的酸构成单元a0的聚合物。10.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层含有萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂。11.根据权利要求1或2所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层进一步含有杂环状化合物。12.根据权利要求1或2所述的干膜抗蚀剂，其中，所述抗蚀剂层进一步含有碱性化合物。13...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山晃男，长田崇一郎，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP