用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术提供用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物构成的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，上述掺杂剂物质和上述电荷传输性物质在上述有机溶剂中溶解。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件
本专利技术涉及用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件。
技术介绍
在有机电致发光(以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用由有机化合物构成的电荷传输性膜。特别地，空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度而发挥重要的功能。空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，将这些各方法进行比较，湿法能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜。因此，在有机EL显示器的大面积化不断发展的现今，希望可采用湿法形成的空穴注入层。鉴于这样的实际情况，本专利技术人已开发出可适用于各种湿法、同时给予在应用于有机EL元件的空穴注入层的情况下能够实现优异的EL元件特性的薄膜的电荷传输性材料、用于其的对于有机溶剂的溶解性良好的化合物(例如参照专利文献1～4)。但是，随着有机EL领域的进展，常常需要能够实现优异的EL特性的新的涂布型有机EL用材料。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2008/032616号专利文献2：国际公开第2008/129947号专利文献3：国际公开第2006/025342号专利文献4：国际公开第2010/058777号专利文献5：日本特开2009-079131号公报专利文献6：日本特开2001-341239号公报专利文献7：日本特开2004-189674号公报专利文献8：日本特开平11-222263号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供组合物，该组合物用于形成在应用于有机EL元件的情况下能够实现优异的亮度特性的电荷传输性薄膜。用于解决课题的手段本专利技术人反复锐意研究，结果发现：包含包括规定的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂的组合物得到在用作有机电致发光元件的空穴注入层等功能层的情况下能够实现优异的亮度特性的电荷传输性薄膜，完成了本专利技术。再有，在专利文献5～8中公开了包含2,4,6,7-四氰基-1,4,5,8-四氮杂萘作为掺杂剂(电子接受体)的材料，但在这些各文献中，没有教导本专利技术涉及的组合物这样的有机EL元件用材料的记载，也没有暗示其的记载。即，本专利技术提供：1.用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：包括由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，上述掺杂剂物质和上述电荷传输性物质在上述有机溶剂中溶解，[化1]2.1的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性物质为分子量200～9,500的电荷传输性化合物，3.2的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性化合物为苯胺衍生物或噻吩衍生物，4.3的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性化合物为苯胺衍生物，5.1～4的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含有机硅烷化合物，6.1～5的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含杂多酸，7.1～6的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其为有机电致发光元件的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层形成用组合物，8.使用1～7的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物制造的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜，9.有机电致发光元件，其具有8的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜。专利技术的效果通过使用本专利技术涉及的组合物，能够得到电荷传输性薄膜，其兼具优异的平坦性和优异的电荷传输性，用作有机电致发光元件的空穴注入层等功能层的情况下能够实现优异的亮度特性。其理由尚未弄清，推测2,4,6,7-四氰基-1,4,5,8-四氮杂萘这样的、氰基结合于含氮杂芳香环的结构的化合物不仅由于含氮杂芳香环中的电子缺失的影响，而且由于与其结合的氰基的吸电子的效果，期待作为掺杂剂发挥优异的功能，因此通过使用与电荷传输性物质、特别是苯胺衍生物一起含有这样的化合物作为掺杂剂物质的本专利技术涉及的组合物，得到了不仅平坦性和电荷传输性优异、而且从阳极的空穴接受能力和向空穴传输层、发光层的空穴注入能力也优异的电荷传输性薄膜，结果得到了优异的亮度特性的有机EL元件。另外，本专利技术涉及的组合物即使在使用了旋涂法、狭缝涂布法等可大面积地成膜的各种湿法的情况下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此对于近年来的有机EL元件的领域中的进展也能够充分地应对。具体实施方式以下对本专利技术更详细地说明。本专利技术的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物(以下也简称为本专利技术的组合物)包含掺杂剂物质，该掺杂剂物质由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物构成。[化2]这些中，如果考虑得到的薄膜的电荷传输性、该化合物的获得容易性、该化合物的在有机溶剂中的溶解性的平衡，最优选由式(D1)所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物。本专利技术的组合物除了上述用氰基取代的含氮杂芳香族化合物以外，可包含杂如多酸化合物、芳基磺酸衍生物、四氰基醌二甲烷衍生物、苯醌衍生物等的其他掺杂剂物质，其中，优选杂多酸。杂多酸为具有代表性地由式(D6)所示的Keggin型或式(D7)所示的Dawson型的化学结构表示的、杂原子位于分子的中心的结构，作为钒(V)、钼(Mo)、钨(W)等的含氧酸的同多酸与异种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这样的异种元素的含氧酸，主要可列举出硅(Si)、磷(P)、砷(As)等的含氧酸。[化3]作为杂多酸的具体例，可列举出磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等，这些可以单独地使用，也可将2种以上组合使用。再有，本专利技术中使用的杂多酸可作为市售品得到，另外，也能够采用公知的方法合成。特别地，使用1种杂多酸的情况下，这1种杂多酸优选磷钨酸或磷钼酸，最优选磷钨酸。另外，使用2种以上的杂多酸的情况下，这2种以上的杂多酸中的1个优选磷钨酸或磷钼酸，更优选磷钨酸。应予说明，杂多酸在元素分析等定量分析中，即使相对于由通式表示的结构，元素的数多或少，只要其是作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产物，都能够在本专利技术中使用。即，例如，一般地，磷钨酸用化学式H3(PW12O40)·nH2O表示，磷钼酸用化学式H3(PMo12O40)·nH2O表示，在定量分析中，即使该式中的P(磷)、O(氧)或W(钨)或Mo(钼)的数多或者少，只要其为作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产物，则都能够在本专利技术中使用。这种情况下，本专利技术中所规定的杂多酸的质量不是合成物、市售品中的纯粹的磷钨酸的质量(磷钨酸含量)，而是意味着作为市售品可获得的形态和采用公知的合成法可分离的形态下包含水合水、其他杂质等的状态下的总质量。就本专利技术的组合物中的掺杂剂物质的含量而言，考虑电荷传输性物质的种类、量等适当地设定，通常，用质量比表示，相对于电荷传输性物质1，为0.1～10左右。作为本专利技术的组合物包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：包括由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，所述掺杂剂物质和所述电荷传输性物质在所述有机溶剂中溶解，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.13 JP 2015-0511611.用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：包括由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，所述掺杂剂物质和所述电荷传输性物质在所述有机溶剂中溶解，2.权利要求1所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，所述电荷传输性物质为分子量200～9,500的电荷传输性化合物。3.权利要求2所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，所述电荷传输性化合物为苯胺衍生物或噻吩衍生物。4.权利要求3所述的用于有机电致发光元件的电荷...

【专利技术属性】
技术研发人员：中家直树，安达勋，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP