【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池装置及其制造方法
本专利技术涉及太阳能电池的电极布线及其周边构造,涉及受光面侧的Cu金属层的构造及其形成工艺。
技术介绍
作为电极布线,当前制造的太阳能电池通常使用Ag(银)作为布线材料。然而,Ag为贵金属材料,其原料价格高,且占太阳能电池价格的2成以上。为实现太阳能电池的低价格化,原料价格较之Ag而言廉价的Cu(铜)受到关注,作为太阳能电池的电极布线而应用Cu的研究开发正活跃进行。Cu为低电阻材料,深切期待其作为代替Ag的布线材料。太阳能电池的硅半导体基板(Si基板)构成包含二极管的太阳能电池元件,将照射到Si基板面的光转换为电从而发电。为将发电的电流取出到外部,在太阳能电池的Si基板表面,作为电极布线存在指状(finger)布线和汇流电极(busbar)布线这样的两种布线构造(也包括指状电极、汇流电极)。指状布线是发挥对在Si基板发电的电流进行集电的作用的布线,其由多条细线构成。汇流电极布线是发挥将在指状布线集电的电流连接于极耳线的作用的布线。然后,电流经由极耳线而被取出至外部(例如,专利文献1)。汇流电极布线具有将多条指状布线集束而进行集电的作用, ...
【技术保护点】
太阳能电池装置,所述太阳能电池装置具有硅半导体基板、含Cu金属层、含Ag指状布线、和包含氧化物或有机化合物的界面层,所述含Ag指状布线层合于所述硅半导体基板的受光面侧,所述界面层层合于所述硅半导体基板的受光面侧,所述含Cu金属层层合于所述界面层之上,并且,与所述含Ag指状布线分开配置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.20 JP 2015-0582941.太阳能电池装置,所述太阳能电池装置具有硅半导体基板、含Cu金属层、含Ag指状布线、和包含氧化物或有机化合物的界面层,所述含Ag指状布线层合于所述硅半导体基板的受光面侧,所述界面层层合于所述硅半导体基板的受光面侧,所述含Cu金属层层合于所述界面层之上,并且,与所述含Ag指状布线分开配置。2.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,在所述硅半导体基板与所述界面层之间层合有防反射膜。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池装置,其中,所述含Cu金属层及所述含Ag指状布线经由焊料层而与极耳线连接。4.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池装置,其中,所述太阳能电池装置包括如下构造:所述含Cu金属层配置于多条所述含Ag指状布线之间,所述含Ag指状布线被断开。5.根据权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池装置,其中,所述太阳能电池装置包括如下构造:所述含Ag指状布线配置于多个所述含Cu金属层之间,所述含Cu金属层被断开。6.根据权利要求1~5中任一项所述的太阳能电池装置,其中,所述太阳能电池装置包括如下构造:所述含Ag指状布线的端部...
【专利技术属性】
技术研发人员:小池淳一,和田真,须藤祐司,安藤大辅,
申请(专利权)人:材料概念有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。