【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池单元和太阳能电池单元的制造方法
本专利技术涉及太阳能电池单元和太阳能电池单元的制造方法,特别涉及背面接合型的太阳能电池单元。
技术介绍
作为发电效率较高的太阳能电池,具有在与供光入射的受光面对置的背面形成有n型半导体层及p型半导体层这两者的背面接合型的太阳能电池。在背面接合型的太阳能电池中,在背面侧设置有用于将发电的电力取出的n侧电极及p侧电极这两者。n侧电极及p侧电极包含利用电镀法成膜的电镀层(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2012/090643号
技术实现思路
专利技术要解决的课题希望提供可靠性更高的太阳能电池单元。本专利技术是鉴于这种状况而完成的,其目的在于提供提高了可靠性的太阳能电池单元。用于解决课题的手段本专利技术的一个技术方案是太阳能电池单元的制造方法。该方法包括如下工序:在具有彼此相邻的第1区域和第2区域的半导体基板的主面上的第1区域形成第1导电型的第1半导体层;在第1区域的一部分即与第2区域相邻的绝缘区域的第1半导体层上形成绝缘层;在第2区域的主面上及绝缘区域的绝缘层上全面地形成第2导电型的第2半导体层;在 ...
【技术保护点】
一种太阳能电池单元的制造方法,包括如下工序:在具有彼此相邻的第1区域和第2区域的半导体基板的主面上的上述第1区域形成第1导电型的第1半导体层;在上述第1区域的一部分、即与上述第2区域相邻的绝缘区域的上述第1半导体层上形成绝缘层;在上述第2区域的上述主面上及上述绝缘区域的上述绝缘层上全面形成第2导电型的第2半导体层;在上述第1半导体层及上述第2半导体层之上形成透明导电层;在上述透明导电层之上形成晶种层;在上述绝缘区域的上述晶种层之上设置抗镀层并使电镀层在上述晶种层之上成长;以及除去上述抗镀层,并除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分;使上述电镀层成长的工序包括在上述第1区域上 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0697181.一种太阳能电池单元的制造方法,包括如下工序:在具有彼此相邻的第1区域和第2区域的半导体基板的主面上的上述第1区域形成第1导电型的第1半导体层;在上述第1区域的一部分、即与上述第2区域相邻的绝缘区域的上述第1半导体层上形成绝缘层;在上述第2区域的上述主面上及上述绝缘区域的上述绝缘层上全面形成第2导电型的第2半导体层;在上述第1半导体层及上述第2半导体层之上形成透明导电层;在上述透明导电层之上形成晶种层;在上述绝缘区域的上述晶种层之上设置抗镀层并使电镀层在上述晶种层之上成长;以及除去上述抗镀层,并除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分;使上述电镀层成长的工序包括在上述第1区域上形成第1电镀层的工序、和在上述第2区域上形成第2电镀层的工序;形成上述第2电镀层的工序包含如下工序:形成上述第2电镀层,使得上述第2电镀层随着远离上述主面而向上述第1电镀层靠近地突出,并且,在与上述第1电镀层之间设置间隙,除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分的工序包含如下工序:将上述间隙作为掩模来对上述透明导电层的一部分进行激光照射或干蚀刻。2.如权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法,其中,除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分的工序包含对上述晶种层进行湿蚀刻的工序。3.如权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法,其中,除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分的工序包含将上述间隙作为掩模来对上述晶种层的一部分进行干蚀刻的工序。4.如权利要求1~3中的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法,其中,使上述电镀层成长的工序包含将上述抗镀层设置为将与上述绝缘区域相邻的上述第2区域的一部分覆盖的工序。5.如权利要求1~4中的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法,其中,上述第1区域包含在x方向延伸的多个第1指区域、和将上述多个第1指区域的一端连接并在y方向延伸的第1汇流条区域,上述第2区域包含在x方向延伸的多个第2指区域、和将上述多个第2指区域的一端连接并在y方向延伸的第2汇流条区域,上述第1区域及上述第2区域被设置为上述多个第1指区域和上述多个第2指区域相互嵌插的方式,使上述电...
【专利技术属性】
技术研发人员:重松正人,角村泰史,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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