光电器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电器件及其制造方法政府支持的通知本专利技术是在能源部批准的合同No.DE-EE0004736下由政府支持来进行的。美国政府在本专利技术中可拥有某些权利。交叉参考的相关申请本申请要求2015年3月12日提交的美国临时申请No.62/131938的优先权。本申请还要求美国专利申请No.14/963736；14/963778；14/963799；和14/963832的优先权，全部在2015年12月9日提交。上述申请全部在此以它们全部引入作为参考。专利技术背景1.专利
本专利技术通常涉及光电器件例如太阳能电池，发光二极管，有机发光二极管和涉及制造其的方法。2.技术考虑光电器件是电到光(electrical-to-optical)或者光到电(optical-to-electrical)转换器。光电器件的例子包括太阳能电池(即，光伏电池)，发光二极管和有机发光二极管。太阳能电池或者光伏(PV)电池是一种光电器件，其将日光直接转化成电。光照射太阳能电池上产生了电流和电压二者从而产生电功率。在太阳能电池中，来自于日光的光子被半导体材料吸收。电子从它们的原子被冲击松动，引起电...
【技术保护点】
一种光电器件(10)，其包含：具有第一表面(14)和第二表面(16)的第一基材(12)；在该第二表面(16)上的光电涂层(17)，其包含：位于该第二表面(16)上的底层(18)；位于该底层(18)上的第一导电层(20)；位于该第一导电层(20)上的覆盖层(22)；位于该第一导电层(20)上的半导体层(24)；和位于该半导体层(24)上的第二导电层(26)，其中(i)该第一导电层(20)包含导电氧化物和选自钨、钼、铌和氟的至少一种掺杂剂，和/或(i i)该覆盖层(22)包含缓冲层(42)，该缓冲层(42)包含氧化锡和选自锌、铟、镓和镁的至少一种材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.12 US 62/131,938;2015.12.09 US 14/963,736;1.一种光电器件(10)，其包含：具有第一表面(14)和第二表面(16)的第一基材(12)；在该第二表面(16)上的光电涂层(17)，其包含：位于该第二表面(16)上的底层(18)；位于该底层(18)上的第一导电层(20)；位于该第一导电层(20)上的覆盖层(22)；位于该第一导电层(20)上的半导体层(24)；和位于该半导体层(24)上的第二导电层(26)，其中(i)该第一导电层(20)包含导电氧化物和选自钨、钼、铌和氟的至少一种掺杂剂，和/或(ii)该覆盖层(22)包含缓冲层(42)，该缓冲层(42)包含氧化锡和选自锌、铟、镓和镁的至少一种材料。2.权利要求1的光电器件(10)，其中该底层(18)包含含有氧化硅的钠阻挡层(38)，和/或该底层(18)包含底部光学层(36)，该底部光学层(36)包含以下的至少一种的氧化物：锡、锌、硅、铝、钛和/或其混合物。3.权利要求1或者2的光电器件(10)，其中该第一导电层(20)包含含有氧化锡和钨的第一层，和/或该第一导电层(20)包含含有氧化锡和氟的第二层。4.权利要求1-3任一项的光电器件(10)，其中该覆盖层(22)包含含有氧化锡和锌和/或镁的缓冲层(42)，和/或该覆盖层(22)包含含有硫化镉和/或硫酸镉的绝缘层(44)。5.权利要求1-4任一项的光电器件(10)，其中该半导体层(24)包含碲化镉。6.权利要求1-5任一项的光电器件(10)，其中该第二导电层(26)包含金属层，优选金属银。7.权利要求1-6任一项的光电器件(10)，其包括在第一基材(12)的第二表面(16)之上和/或与之相邻的内部光提取区(34)，其中该内部光提取区(34)包含纳米粒子。8.权利要求1-7任一项的光电器件(10)，其包括在第一基材(12)的第一表面(14)上的功能层(32)，其中该功能层(32)包含：含有选自钛、锆、锌、锡及其混合物的材料的氧化物的防反射层(33)，和/或该功能层(32)包含：含有二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡及其混合物的外部光提取层(35)。9.权利要求1-8任一项的光电器件(10)，其中该第一导电层(20)包含由第一前体材料沉积的第一区和由第二前体材料沉积的第二区，优选该第一前体材料包含MBTC和该第二前体材料选自TTC和DBTA。10.权利要求1的光电...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·W·麦卡米，马智训，B·卡巴甘比，K·K·克拉姆，洪正宏，G·J·内里斯，
申请(专利权)人：VITRO可变资本股份有限公司，
类型：发明
国别省市：墨西哥,MX
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