【技术实现步骤摘要】
一种强流低能团簇离子束导向装置
本技术涉及一种强流低能团簇离子束纳米加工设备中的束流导向装置,属于离子束纳米加工
技术介绍
在当今以信息技术引领发展的高科技时代,集成电路无处不在,其研发和生产成为一个国家重要的支柱性产业,而每一块集成电路都离不开离子注入工艺。随着集成度进一步提高,MOSFET尺度进一步减小(32至22nm),器件结深越来越浅,必然要求采用超低能量的离子注入工艺,而低能条件下离子束流必然降低,且单原子离子的沟道效应难以避免,因此必须采用团簇离子束技术。这一技术的基础是团簇离子源和团簇离子束加工设备。强流低能团簇离子束纳米加工成套设备可以产生数十至数千个原子范围的团簇离子束,满足硅基集成电路10nm超浅结制造、半导体表面平化、超薄纳米材料制备等多方面的需求。建立团簇离子束设备研发制造体系,有利于形成具有自主知识产权的离子束纳米加工极端制造技术。束流导向装置在强流低能团簇离子束纳米加工成套设备具有重要的应用地位,其主体结构为电磁场控制单元。传统的离子束加工设备中依靠单一电场或磁场的偏转、导向装置具有一定的局限性。因为一般载能离子束导向装置有平 ...
【技术保护点】
一种强流低能团簇离子束导向装置,至少包括一对间隔分布的电极和一对设置于电极周围的磁铁,其特征在于:所述电极通过一对绝缘体固定并且与磁铁相互隔离,两个电极之间区域构成离子束通道;所述磁铁和绝缘体通过位于磁铁两端的一对极靴固定,磁铁位于电极外侧,两个磁铁均为永磁铁或电磁铁。
【技术特征摘要】
1.一种强流低能团簇离子束导向装置,至少包括一对间隔分布的电极和一对设置于电极周围的磁铁,其特征在于:所述电极通过一对绝缘体固定并且与磁铁相互隔离,两个电极之间区域构成离子束通道;所述磁铁和绝缘体通过位于磁铁两端的一对极靴固定,磁铁位于电极外侧,两个磁铁均为永磁铁或电磁铁。2.根据权利要求1所述的强流低能团簇离子束导向装置,其特征在于:所述绝缘体内侧面的中部向上突出构成卡槽,两个绝缘体的卡槽槽口相对,两个电极分别固定于两个绝缘体的卡槽中,磁铁与绝缘体的外侧面相接触。3.根据权利要求2所述的强流低能团簇离子束导向装置,其特征在于:所述极靴的中部向上凸起构成限位凸台,限位凸台抵紧绝缘体卡槽的槽壁,极靴的位于限位凸台两侧的部位开设有与磁铁端部形状相匹配的凹槽,磁铁的两端分别嵌于两个极靴位于同侧的凹槽中。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:王泽松,韩滨,瓦西里·帕里诺维奇,余益飞,付德君,
申请(专利权)人:武汉飞安磁光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北,42
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