有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供由化学式1表示的化合物。并且，提供包括第一电极、第二电极及上述第一电极和第二电极之间的有机物层的有机电气元件，上述有机物层包含由化学式1表示的化合物。若在有机电气元件的有机物层包含由化学式1表示的化合物，能够降低驱动电压，提高发光效率、色纯度及寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置
本专利技术涉及有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置。
技术介绍
通常，有机发光现象是指，利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机电气元件通常具有阳极、阴极及它们之间包括有机物层的结构。在此，有机物层为了提高有机电气元件的效率和稳定性而普遍形成为由各种不同物质构成的多层结构，例如，可以由空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层等形成。在有机电气元件中，用作有机物层的材料可根据功能来分为发光材料和电荷输送材料，例如，空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料及电子注入材料等。当前，便携式显示器市场为大面积显示器且正处于其大小不断增加的趋势，由此，与以往的便携式显示器所需的消耗电量相比，需要更大的耗电量。因此，对于具有电池这一有限的电力供给源的便携式显示器而言，耗电量成为非常重要的因素，效率和寿命问题也同样成为必须解决的问题。效率、寿命及驱动电压等相互具有关联，若效率增加，则驱动电压相对降低，且驱动电压降低的同时，驱动时所发生的基于焦耳加热(Jouleheating)的有机物质的结晶化减少，最终呈现出寿命提高的倾向。但即使单纯地改善上述有机物层，也无法将效率极大化。这是因为，只有在各有机物层之间的能量等级及T1值、物质的固有特性(移动率、表面特性等)形成最佳的组合时，才能同时实现长寿命和高的效率。近来，对于有机电致发光元件，为了解决空穴输送层中的发光问题和驱动电压问题，空穴输送层和发光层之间须存在发光辅助层(多层空穴输送层)，因此需要开发根据每个发光层的不同的发光辅助层。通常，电子(electron)从电子输送层向发光层传递，空穴(hole)从空穴输送层向发光层传递，借助重组(recombination)来生成激子(exciton)。然而，当为了产生低驱动电压而使用高空穴迁移率(holemobility)的物质时，正极化子(Polaron)积聚在发光层和空穴输送层界面，导致界面劣化，寿命和效率降低，并且发光层内电荷平衡(ChargeBalance)不匹配，发光层内剩余的极化子(Polaron)会攻击发光物质的弱键合(bonding)，从而发光物质发生变形，产生寿命和效率降低，色纯度低下等现象。因此，发光辅助层，存在于空穴输送层和发光层之间，为了防止正极化子(Polaron)积聚在发光层界面处，应该是具适用于发光层和空穴输送层之间的HOMO值的物质，来增加发光层内电荷平衡，且应该是在适当的驱动电压范围内(在整个装置的ble元件驱动电压范围内)具空穴迁移率的物质。然而，其不能简单地通过发光辅助层物质的核结构性特征被实现，其是通过将发光辅助层物质的核和子取代基的特性以及发光辅助层与空穴输送层，发光辅助层与发光层之间适当的组合，来实现高效率和高寿命的元件。即，为了充分发挥有机电气元件所具有的优秀的特征，在元件内的构成有机物层的物质，例如空穴注入物质、空穴输送物质、发光物质、电子输送物质、电子注入物质、发光辅助层物质等应先获取具稳定且有效率的材料予以支持，尤其，迫切需要开发发光辅助层和空穴输送层的材料。
技术实现思路
技术课题本专利技术是为了解决上述现有技术问题而提出的，其目的在于提供具效率的电子阻挡能力和空穴输送能力的化合物，同时利用该化合物，提供元件的高发光效率，低驱动电压，高耐热性，色纯度和寿命等被提高的化合物，以及利用其的有机电气元件及电子装置。技术方案在一实施方式中，本专利技术提供由以下化学式表示的化合物。以下化学式示出核(二苯并呋喃或二苯并噻吩)与两个胺基经连接基被键合的化合物，以下化学式1的R1至R3中的至少一个为以下化学式2。在另一侧面，本专利技术提供一种利用由上述化学式1表示的化合物的有机电气元件及其电子装置。技术效果根据本专利技术，通过限定与核连接的连接基种类、与连接基键合的胺基种类、键合位置及个数的特征化合物，作为有机电致发光元件的材料，从而通过容易在发光层内实现电荷平衡的HOMO能级和高T1值等，来提高有机电气元件的发光效率，耐热性，色纯度，寿命并可降低驱动电压。附图说明图1为本专利技术的有机电致发光元件的例示图。附图标记的说明100：有机电气元件110：基板，120：第一电极130：空穴注入层140：空穴输送层141：缓冲层150：发光层151：发光辅助层160：电子输送层170：电子注入层180：第二电极具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施例进行详细说明。应注意，各附图的结构要素附加有附图标记，对于相同的结构要素即使显示于不同的附图上，也尽可能地赋予相同的附图标记。并且，在对本专利技术进行说明的过程中，当相关的公知结构或功能的具体说明被判断会使本专利技术的要旨模糊不清时，将省略详细说明。在说明本专利技术的结构要素的过程中，可使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这种术语仅用于与其他结构要素相互区别，相关结构要素的本质、次序或顺序等不会因这种术语而受到限制。在一个结构要素与另一结构要素”连接”、”键合”或”联接”的情况下，其结构要素既可以与另一结构要素直接连接或联接，但也可以理解为在各结构要素之间”连接”、”键合”或”联接”有其他结构要素。并且，在层、膜、区域及板等结构要素位于其他结构要素”上”或”上部”的情况下，这不仅可以理解为位于其他结构要素的”正上方”，而且还可以理解为在中间还有其他结构要素。相反，在一个结构要素位于另一部分的”正上方”的情况下，应理解为中间没有其他部分。如在本说明书及添加的保护范围中所进行的使用，只要没有标注不同的意思，以下术语的意义如下。在本说明书中所使用的术语”卤代”或”卤素”只要没有不同的说明，就是氟(F)、溴(Br)、氯(Cl)或碘(I)。在本专利技术中所使用的术语”烷”或”“烷基”，就具有1至60的碳数的单键，并意味着包含直链烷基、分子链烷基、环烷基(脂环族)、被烷取代的环烷基、被环烷基所取代的烷基的饱和脂肪族官能团的自由基。在本专利技术中所使用的术语“卤烷基”或“卤素烷基”，除非另行说明，否则表示被卤素所取代的烷基。在本专利技术中所使用的术语”烯基”或”炔基”只要没有别的说明，就分别具有2至60的碳数的双键或三键，并包含直链型或侧链型链基，但并不局限于此。在本专利技术中所使用的术语”环烷基”只要没有其他说明，就意味着形成具有3至60的碳数的环的烷，但并不局限于此。在本专利技术中所使用的术语”烷氧基”、”烷氧”或”烷氧基”意味着附着有氧自由基的烷基，只要没有其他说明，就具有1至60的碳数，但并不局限于此。在本专利技术中所使用的术语”芳氧基”或”芳氧”意味着附着有氧自由基的芳基，只要没有其他说明，就具有6至60的碳数，但并不局限于此。只要没有其他说明，在本专利技术中所使用的术语”芴基”或”芴乙烯基”分别意味着在以下结构中R、R’及R”均为氢的1价或2价官能团，”被取代的芴基”或”被取代的芴乙烯基”意味着取代基R、R’、R”中的至少一种为除了氢之外的取代基，并包括R和R’相键合来与其所键合的碳一同形成螺环化合物的情况。在本专利技术中所使用的术语”芳基”及”亚芳香基”只要没有别的说明，就分别具有6至60的碳数，但并不局限于此。在本专利技术中，芳基或亚芳香基包含单环型、环聚集体、融合后的多环类及螺环化合物等。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，由下述化学式1表示：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.16 KR 10-2015-00362311.一种化合物，由下述化学式1表示：在上述化学式1中，X为O或S，且R1至R3彼此独立地从氢；重氢；超重氢；卤素；氰基；硝基；C6-C60的芳基；芴基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C60的杂环基；C3-C60的脂肪族环和C6-C60的芳香族环的稠环基；C1-C50的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C1-C30的烷氧基；C6-C30的芳氧基；以及化学式2所形成的组中被选出，且R1至R3中的至少一个为化学式2，R4至R7彼此独立地从氢；重氢；超重氢；卤素；氰基；硝基；C6-C60的芳基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C60的杂环基；C3-C60的脂肪族环和C6-C60的芳香族环的稠环基；C1-C50的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C1-C30的烷氧基；以及C6-C30的芳氧基所形成的组中被选出，且除了R4至R7中的二苯并呋喃基和二苯并噻吩基以外，R4至R7选择性地将相邻基彼此键合形成环，且在上述化学式2中，Ar1至Ar4彼此独立地从C6-C60的芳基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C60的杂环基；芴基；C6-C60的芳香族环和C3-C60的脂肪族环的稠环基；C1-C50的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C1-C30的烷氧基；和C6-C30的芳氧基所形成的组中被选出，且L1至L5彼此独立地从单键；C6-C60的亚芳基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C60的杂环基；亚芴基；C3-C60的脂肪族环和C6-C60的芳香族环的稠环基；以及C1-C60的脂肪族烃基所形成的组中被选出，且除了单键以外，其分别由从重氢；卤素；硅烷基；硅氧烷基；硼基；锗基；氰基；硝基；C1-C20的烷基硫基；C1-C20的烷氧基；C1-C20的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C6-C20的芳基；被重氢取代的C6-C20的芳基；芴基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C20的杂环基；C3-C20的环烷基；C7-C20的芳基烷基；以及C8-C20的芳基烯基形成的组中被选出的一种以上取代基被进一步取代，且当上述R1至R3，以及Ar1至Ar4为芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基时，其分别由从重氢；卤素；被C1-C20烷基或C6-C20芳基取代或未取代的硅烷基；硅氧烷基；硼基；锗基；氰基；硝基；C1-C20的烷基硫基；C1-C20的烷氧基；C1-C20的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C6-C20的芳基；被重氢取代的C6-C20的芳基；芴基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C20的杂环基；C3-C20的环烷基；C7-C20的芳基烷基；以及C8-C20的芳基烯基形成的组中被选出的一种以上取代基被进一步取代，且当各取代基彼此相邻时彼此键合形成环，且当上述R4至R7为芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳氧基时，其分别由从重氢；卤素；被C1-C20的烷基或C6-C20的芳基取代或未取代的硅烷基；硅氧烷基；硼基；锗基；氰基；硝基；C1-C20的烷基硫基；C1-C20的烷氧基；C1-C20的烷基；C2-C20的烯基；C2-C20的炔基；C6-C20的芳基；被重氢取代的C6-C20的芳基；含有选自O，N，S，Si和P中至少一种杂原子的C2-C20的杂环基，除了二苯并呋喃基和二苯并噻吩基以外；C3-C20的环烷基；C7-C220的芳基烷基；以及C8-C20的芳基烯基形成的组中...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞允宣，朴正哲，尹珍镐，崔乘源，金孝珍，崔莲姬，李揆慜，
申请(专利权)人：德山新勒克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR