适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器制造技术

技术编号:16664757 阅读:49 留言:0更新日期:2017-11-30 12:55
本发明专利技术实施例提供了一种适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器和一种微带线的信号传输方法,属于微波传输技术领域。其中,该方法包括:第一电流通过第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝和第二金丝;第二电流通过第一微带线的中央接地平板输入至第三金丝,以将第一电流和第二电流所形成的电磁场信号传输至第二微带线。由于第一金丝、第二金丝和第三金丝可以形成类同轴结构的传输线,从而当信号从第一微带线通过类同轴结构的传输线传输至第二微带线时,可以大大减小信号的衰减,提高了信号传输的效率。

【技术实现步骤摘要】
适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器
本专利技术涉及微波传输
,特别是涉及一种微带线的信号传输方法和一种适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器。
技术介绍
瓦片式结构的TR(发送接收器,TransmitterandReceiver)模块作为无线收发系统中的核心部件,可以对天线接收的信号进行放大、移相和衰减,进而传输至无线收发系统的处理单元进行信号处理。比如,有源相控阵雷达可以通过天线接收信号,然后通过瓦片式TR模块对天线接收的信号进行放大、移相和衰减,进而可以通过有源相控阵雷达的处理单元对信号进行进一步处理,以实现有源相控阵雷达的信号分析和目标定位等功能。瓦片式TR模块可以通过微带传输线,也即微带线进行信号传输。微带线由介质基片、介质基片上表层的导体带以及介质基片下表层的接地平板构成。各个部件之间传输信号时,各个部件的微带线需要进行垂直过渡或台阶过渡,以便于部件之间的信号传输。为了便于描述,将垂直过渡或台阶过渡一并简称为垂直过渡。在先技术中,参照图1,微带线垂直过渡的方法为:在两个微带线100和300的断层处的导体带上键合金丝200,从而信号通过金丝200以及两个微带线100和300之间的接地平板进行传输,且事先需要对微带线进行容抗大于感抗的元件参数配置,以使金丝产生的电感效应可以被电容效应抵消。专利技术人在应用上述在先技术的过程中发现,该微带线垂直过渡结构会使信号出现谐振,从而导致频率与谐振频率相同的信号才可以继续传输,而频率与谐振频率不同的信号由于被反射而损失较多,则无法继续传输,因此缩减了微带线传输信号的带宽。另外,由于信号需要同时通过介质基片上表层的导体带以及介质基片下表层的接地平板进行传输,因此,当两个微带线的接地平板完全断开时,信号将无法进行传输。
技术实现思路
鉴于上述问题,提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种微带线的信号传输方法和一种适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器。根据本专利技术的第一方面,提供了一种微带线的信号传输方法,应用于包括至少两个微带线的瓦片式TR模块,所述方法包括:第一电流通过第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝和第二金丝;所述第一金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,以及第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,所述第二金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端,以及所述第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端;第二电流通过所述第一微带线的中央接地平板输入至第三金丝,以将所述第一电流和所述第二电流所形成的电磁场信号传输至所述第二微带线;所述第一微带线的中央接地平板为所述第一微带线的底层接地平板延伸至所述第一微带线的导体带所在的平面的半圆形部分,且位于所述第一微带线的导体带的弧形T形结的中空圆弧内;所述第三金丝两端分别连接所述第一微带线的中央接地平板和所述第二微带线的中央接地平板。可选地,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝位于同一平面,且所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝平行设置。可选地,所述第一微带线和所述第二微带线的中央接地平板的曲率半径为0.05毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的内曲率半径为0.11毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的外曲率半径为0.22毫米。可选地,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝的长度和形状相同。根据本专利技术的第二方面,提供了一种适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器,所述微带线垂直过渡器包括:第一微带线、第一金丝、第二金丝、第三金丝和第二微带线;所述第一微带线的导体带的弧形T形结的两端中的一端连接所述第一金丝,所述第一微带线的导体带的弧形T形结的两端中的另一端连接所述第二金丝;所述第一微带线用于将第一电流通过所述第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至所述第一金丝和所述第二金丝;所述第一微带线的中央接地平板与所述第三金丝连接;所述第一微带线的中央接地平板为所述第一微带线的底层接地平板延伸至所述第一微带线的导体带所在的平面的半圆形部分,且位于所述第一微带线的导体带的弧形T形结的中空圆弧内;所述第一微带线用于将第二电流通过所述第一微带线的中央接地平板输入至所述第三金丝,以将所述第一电流和所述第二电流所形成的电磁场信号传输至所述第二微带线。可选地,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝位于同一平面,且所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝平行设置。可选地,所述第一微带线和所述第二微带线的中央接地平板的曲率半径为0.05毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的内曲率半径为0.11毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的外曲率半径为0.22毫米。可选地,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝的长度和形状相同。本专利技术实施例包括以下优点:通过将第一电流通过第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝和第二金丝,以及将第二电流通过第一微带线的与导体带位于同一平面的中央接地平板输入至第三金丝,由于第一金丝、第二金丝和第三金丝可以形成类同轴结构的传输线,从而当信号从第一微带线通过类同轴结构的传输线传输至第二微带线时,可以大大减小信号的衰减,提高了信号传输的效率,且由于第一微带线的底层接地平板与第二微带线的底层接地平板可以通过第三金丝连接,从而本专利技术实施例可以适用于两个微带线的底层接地平板完全断开的传输场景。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种在先技术中微带线垂直过渡器的示意图;图2A是本专利技术实施例提供的一种微带线垂直过渡器的结构图;图2B是本专利技术实施例提供的一种微带线垂直过渡器的俯视图;图2C是本专利技术实施例提供的一种微带线垂直过渡器的主视图;图2D是本专利技术实施例提供的另一种微带线垂直过渡器的主视图;图3是本专利技术实施例提供的一种微带线的信号传输方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。在对本申请实施例进行详细说明之前,先对本申请实施例的应用场景进行介绍。瓦片式TR模块可以通过微带线进行信号传输,微带线由介质基片、介质基片上表层的导体带以及介质基片下表层的接地平板构成,其中,微带线的前一级元器件可以向微带线的导体带输入一个电流,同时向微带线的接地平板输入一个电流,从而可以将输入微带线导体带的电流和输入微带线接地平板的电流所形成的信号,以电磁场的方式继续传输至与微带线垂直过渡或台阶过渡的后一级微带线。实施例一参照图2A,示出了一种适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器,该微带线垂直过渡器具体可以包括:第一微带线10、第一金丝20、第二金丝30、第三金丝40和第二微带线50。第一微带线10的导体带的弧形T形结的两端中的一端连接第一金丝20,第一微带线10的导体带的弧形T形结的两端中的另一端连接第二金丝30;第一微带线10用于将第一电流通过第一微带线10的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝20和第二金丝30。第一微带线10的中央接地平板与第三金丝40连接;第一微带线10的中央接地平本文档来自技高网
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适用于瓦片式TR模块的高集成超宽带微带线垂直过渡器

【技术保护点】
一种微带线的信号传输方法,其特征在于,应用于包括至少两个微带线的瓦片式TR模块,所述方法包括:第一电流通过第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝和第二金丝;所述第一金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,以及第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,所述第二金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端,以及所述第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端;第二电流通过所述第一微带线的中央接地平板输入至第三金丝,以将所述第一电流和所述第二电流所形成的电磁场信号传输至所述第二微带线;所述第一微带线的中央接地平板为所述第一微带线的底层接地平板延伸至所述第一微带线的导体带所在的平面的半圆形部分,且位于所述第一微带线的导体带的弧形T形结的中空圆弧内;所述第三金丝两端分别连接所述第一微带线的中央接地平板和所述第二微带线的中央接地平板。

【技术特征摘要】
1.一种微带线的信号传输方法,其特征在于,应用于包括至少两个微带线的瓦片式TR模块,所述方法包括:第一电流通过第一微带线的导体带的弧形T形结的两端分别输入至第一金丝和第二金丝;所述第一金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,以及第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的一端,所述第二金丝两端分别连接所述第一微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端,以及所述第二微带线的导体带的弧形T形结两端中的另一端;第二电流通过所述第一微带线的中央接地平板输入至第三金丝,以将所述第一电流和所述第二电流所形成的电磁场信号传输至所述第二微带线;所述第一微带线的中央接地平板为所述第一微带线的底层接地平板延伸至所述第一微带线的导体带所在的平面的半圆形部分,且位于所述第一微带线的导体带的弧形T形结的中空圆弧内;所述第三金丝两端分别连接所述第一微带线的中央接地平板和所述第二微带线的中央接地平板。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝位于同一平面,且所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝平行设置。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一微带线和所述第二微带线的中央接地平板的曲率半径为0.05毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的内曲率半径为0.11毫米,所述第一微带线和所述第二微带线的导体带的弧形T形结的外曲率半径为0.22毫米。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金丝、所述第二金丝和所述第三金丝的长度和形状相同...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯志强李灿郑宗贵刘玉文饶颖王首臻盛兵罗烜
申请(专利权)人:中国人民解放军火箭军装备研究院北京天地一格科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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