OLED面板的封装方法技术

本发明专利技术提供一种OLED面板的封装方法，首先在基板上于OLED器件外围形成一圈有机限定膜，然后采用原子层沉积的方法在基板、及OLED器件上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜后，便可以得到对应位于封装区域上方的原子层沉积膜，最后对应所述封装区域的上方在所述原子层沉积膜上形成封装薄膜，从而完成OLED面板的封装；本发明专利技术通过利用有机限定膜实现了选择性原子层沉积，避免了ALD Mask的使用及由其使用所带来的清洗及更换问题，制程相对简单，从而节省了成本，且所得到的封装结构，能够满足柔性OLED面板的封装要求，可以有效的阻隔外界的水氧，从而有效保护OLED器件。

【技术实现步骤摘要】
OLED面板的封装方法
本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种OLED面板的封装方法。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。目前OLED器件的封装主要在硬质封装基板(如玻璃或金属)上通过封装胶封装，但是该方法并不适用于柔性器件，而柔性OLED显示器是未来显示行业发展的必然趋势，因此，也有技术方案通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装，该薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方形成两层为无机材料的阻水性好的阻挡层(barrierlayer)，在两层阻挡层之间形成一层为有机材料的柔韧性好的缓冲层(bufferlayer)。目前这种封装技术已经较为成熟，取得了很好的封装效果并应用在了相关产品当中。在上述薄膜封装方式中，无机阻挡层通常采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)、原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)、或物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)等方法沉积得到，而有机缓冲层主要通过PECVD或喷墨打印﹙Ink-JetPrinting，IJP﹚的方法制备得到。其中，ALD设备主要用来沉积氧化铝(Al2O3﹚，其所得到的薄膜致密性好，覆盖率高并且厚度可控。和PECVD技术一样，在ALD制程中通常采用金属掩膜板(mask)来进行图案化处理，但是，如何清洗ALD所使用的mask(去除其上所沉积的Al2O3)却是一个非常棘手的问题，因为氧化铝薄膜很难通过等离子体(plasma)的方式进行清理，而如果使用湿蚀刻(wetetching)方式的话又会影响mask的使用寿命，增加生产成本。Levy等人报道了采用IJP的方式在氧化硅基底上进行图案化喷涂高分子--聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，目的是抑制ALD薄膜的生长，再在未喷涂的区域选择性生长Al2O3薄膜，最后利用氧(O2)plasma将高分子PVP去除，而实现选择性原子层沉积(Selective-ALD，SALD)的技术方案。Farm等人也有报道利用另外一种高分子--聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来抑制ALD薄膜的生长。这种利用喷涂高分子来进行选择性去活化(selective-deactivation)而实现SALD的方法，与传统制作图案化ALD薄膜的方法相比，无需使用mask以及湿蚀刻制程，制程相对简单，成本更低，但该方法在OLED封装领域却没有相关的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED面板的封装方法，其基板上对应封装区域设置并覆盖OLED器件的原子层沉积膜，是通过利用有机限定膜而实现选择性原子层沉积的方式形成，避免了由原子层沉积掩膜板(ALDMask)的使用所带来的清洗及更换问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种OLED面板的封装方法，包括如下步骤：步骤S1、提供基板，在所述基板上形成OLED器件；在所述基板上于所述OLED器件外围形成有机限定膜，所述有机限定膜在所述基板上围出封装区域；步骤S2、采用原子层沉积的方法在所述基板、及OLED器件上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜，由该无机薄膜得到对应位于所述封装区域上方的原子层沉积膜；步骤S3、在所述原子层沉积膜上形成封装薄膜。所述步骤S1中，所述有机限定膜的材料为聚乙烯吡咯烷酮、或聚甲基丙烯酸甲酯，所述有机限定膜的厚度为0.5μm以上。所述步骤S1中，采用喷墨打印的方法形成所述有机限定膜。所述步骤S2中，利用氧等离子体去除所述有机限定膜，所述氧等离子体在等离子体增强化学气相沉积设备内产生。所述步骤S2中，所述原子层沉积膜的材料为三氧化二铝、氧化硅、或二氧化锆，所述原子层沉积膜的厚度为25-100nm。所述步骤S3中所形成的封装薄膜包括至少一层无机阻挡层和至少一层有机缓冲层，其中，单层的无机阻挡层和单层的有机缓冲层依次交替层叠设置于所述原子层沉积膜上，所述封装薄膜的最上一层为无机阻挡层。所述步骤S3中，所述无机阻挡层采用等离子体化学气相沉积、脉冲激光沉积、或溅镀的方法沉积形成。所述步骤S3中，所述无机阻挡层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或硅碳氮，所述无机阻挡层的厚度为0.5-3μm；所述有机缓冲层的材料为六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类材料、聚碳酸脂类材料、或聚苯乙烯，所述有机缓冲层的厚度为1-10μm。所述步骤S3中所形成的封装薄膜包括两层无机阻挡层和一层有机缓冲层，其中一层无机阻挡层设于所述原子层沉积膜的上表面上。所述步骤S3中所形成的封装薄膜包括一层无机阻挡层和一层有机缓冲层，其中，该一层有机缓冲层设于所述原子层沉积膜的上表面上。本专利技术的有益效果：本专利技术的OLED面板的封装方法，首先在基板上于OLED器件外围形成一圈有机限定膜，然后采用原子层沉积的方法在基板、及OLED器件上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜后，便可以得到对应位于封装区域上方的原子层沉积膜，最后对应所述封装区域的上方在所述原子层沉积膜上形成封装薄膜，从而完成OLED面板的封装；本专利技术通过利用有机限定膜实现了选择性原子层沉积，避免了ALDMask的使用及由其使用所带来的清洗及更换问题，制程相对简单，从而节省了成本，且所得到的封装结构，能够满足柔性OLED面板的封装要求，可以有效的阻隔外界的水氧，从而有效保护OLED器件。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术的OLED面板的封装方法的流程示意图；图2为本专利技术的OLED面板的封装方法的步骤S1的示意图；图3-4为本专利技术的OLED面板的封装方法的步骤S2的示意图；图5为本专利技术的OLED面板的封装方法的一优选实施例的步骤S3的示意图；图6为本专利技术的OLED面板的封装方法的另一优选实施例的步骤S3的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种OLED面板的封装方法，包括如下步骤：步骤S1、如图2所示，提供基板10，在所述基板10上形成OLED器件20；然后采用喷墨打印的方法在所述基板10上于所述OLED器件20外围形成一圈有机限定膜90，所述有机限定膜90在所述基板10上围出封装区域。具体地，所述基板10为薄膜晶体管(TF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED面板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围形成有机限定膜(90)，所述有机限定膜(90)在所述基板(10)上围出封装区域；步骤S2、采用原子层沉积的方法在所述基板(10)、及OLED器件(20)上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜(90)，由该无机薄膜得到对应位于所述封装区域上方的原子层沉积膜(30)；步骤S3、在所述原子层沉积膜(30)上形成封装薄膜(40)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围形成有机限定膜(90)，所述有机限定膜(90)在所述基板(10)上围出封装区域；步骤S2、采用原子层沉积的方法在所述基板(10)、及OLED器件(20)上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜(90)，由该无机薄膜得到对应位于所述封装区域上方的原子层沉积膜(30)；步骤S3、在所述原子层沉积膜(30)上形成封装薄膜(40)。2.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述有机限定膜(90)的材料为聚乙烯吡咯烷酮、或聚甲基丙烯酸甲酯，所述有机限定膜(90)的厚度为0.5μm以上。3.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用喷墨打印的方法形成所述有机限定膜(90)。4.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2中，利用氧等离子体去除所述有机限定膜(90)，所述氧等离子体在等离子体增强化学气相沉积设备内产生。5.如权利要求1所述的OLED面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述原子层沉积膜(30)的材料为三氧化二铝、氧化硅、或二氧化锆，所述原子层沉积膜(30)的厚度为25-100nm。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄静，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42