一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法技术方案

技术编号:16644547 阅读:51 留言:0更新日期:2017-11-26 16:56
本发明专利技术公开了一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法,以flash存储器作为存储介质,通过基于系统时间的地址映射方法计算得到flash存储器的写入地址,将要存储的曲线写入,实现FLASH存储器的磨损平衡;快速映射FLASH存储器读写地址,实现快速读写;可剔除系统掉电期间FLASH存储器中的无效数据;减少FLASH存储器块擦除次数,从而可大大提高使用寿命。

A long life curve recording method for embedded system

Long life curve recording method of the present invention discloses a kind of embedded system, flash memory is used as storage medium, get the write address through the flash memory address mapping method based on system time calculation, will store the curve to write, to achieve balanced wear FLASH memory; fast mapping FLASH memory read and write address, fast reading write; can remove the system power down during the invalid data in the FLASH memory; reduce FLASH memory block erase times, which can greatly improve the service life.

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法
本专利技术涉及一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法。
技术介绍
嵌入式系统(Embeddedsystem),是一种完全嵌入受控器件内部,为特定应用而设计的专用计算机系统,其以应用为中心,以计算机技术为基础,是一种软硬件可裁剪,适应应用系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗等严格要求的专用计算机系统。在嵌入式系统中,有一些用于数据测量的系统可能需要定期对采集的数据进行曲线记录。如果要求的曲线记录间隔较长(分钟级以上)且系统与服务端通信良好,可通过在服务端定时召唤测量数据并保存数值的方式实现测量点的曲线记录。然而在现实的运行环境下,如果要求的曲线记录间隔较短(秒级以下),通过上述方式可能会导致巨大的通信流量需求,而且对通信信道的带宽和时延要求比较高,使得数据远传变得困难。在这种情况下,要求嵌入式系统具有一定的曲线保存能力,然后将曲线数据打包上传到服务端。公布号为CN104715102A的专利申请公开了一种基于二分法的智能电能表负荷曲线的设计方法,文中提到“为了实现数据可搜索,把最早的一条数据在FLASH中的位置和时间、最近的一条数据在FLASH中的位置和时本文档来自技高网...
一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法

【技术保护点】
一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法,其特征在于:以flash存储器作为存储介质,通过基于系统时间的地址映射方法计算得到flash存储器的写入地址,将要存储的曲线写入,实现了存储介质磨损平衡、快速读写、数据完整性和减少擦写次数的功能,从而可大大提高使用寿命。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法,其特征在于:以flash存储器作为存储介质,通过基于系统时间的地址映射方法计算得到flash存储器的写入地址,将要存储的曲线写入,实现了存储介质磨损平衡、快速读写、数据完整性和减少擦写次数的功能,从而可大大提高使用寿命。2.根据权利要求1所述的一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法,其特征在于基于系统时间的地址映射方法包括以下步骤:1)获取当前系统时间T;2)将当前系统时间T换算为相对于参考起始时间的描述t;3)根据描述t计算曲线的写入地址为:(t%(m×24×3600))/p×n,其中%表示取模运算,m表示曲线的存储最长时间,单位为天,p为存储间隔时间,单位为秒,n为每次存储的空间大小,单位为字节;4)在写入地址将要存储的曲线写入。3.根据权利要求2所述的一种嵌入式系统的长寿命曲线记录方法,其特征在于所述步骤4)包括以下步骤:41)判断写入地址的起始地址是否在flash存储器的块的起始位置,如果在块的起始位置则需要首先把当前块擦除;42)计算写入地址的起始地址和结束地址的块号是否一致,如果一致,则说明曲线写入的区域位于一...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔彦波杨蒙路欣
申请(专利权)人:北京国华世纪电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1