研磨液组合物制造技术

本发明专利技术涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，ｐＨ值为０．１～７，且满足以下条件：（１）在每１ｃｍ↑［３］的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于０．５６μｍ但不足１μｍ的研磨粒子为５０００００个或以下，（２）大于等于１μｍ的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为０．００１重量％或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：（Ⅰ）用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，（Ⅱ）用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序Ⅰ中，过滤器入口压力的波动幅度为５０ｋＰａ或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及研磨液组合物和在调配该研磨液组合物中使用的研磨粒子调配液及它们的制造方法，以及涉及使用该研磨液组合物的基板的制造方法。
技术介绍
在近年的存储硬盘驱动装置中，要求高容量和小型化，为提高记录密度，要求降低磁头的浮动高度，减小单位记录的面积。因此，在磁盘用基板的制造工序中，对研磨后的表面质量要求也一年比一年严格。作为降低磁头浮动高度的对策，必须减小基板的表面粗糙度、微观波纹度、端面下垂(roll-off)以及突起；作为减少单位记录面积的对策，每个基板面的容许划痕数进一步减少，划痕的大小和深度也变得越来越小。此外，在半导体领域，也正在向高度集成化和高速化方面发展，特别是高度集成化，要求配线越来越细。其结果，在半导体基板的制造过程中，要求降低光刻胶曝光时的焦深，更进一步提高表面光洁度。针对这样的要求，以提高表面光洁度为目的，为谋求减少被研磨物表面产生的损伤(划痕等)，日本专利特开2000-15560号公报、日本专利特开2001-271058号公报、日本专利特开2003-188122号公报或日本专利特开2003-155471号公报公开了粗大粒子数得以降低的研磨液料浆，日本专利特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨液组合物，其含有研磨材料和水，ｐＨ值为０．１～７，且满足以下条件：（１）在每１ｃｍ↑［３］的研磨液组合物中，大于等于０．５６μｍ但不足１μｍ的研磨粒子为５０００００个或以下，以及（２）大于等于１μｍ的研磨粒子相对于研 磨液组合物中的所有研磨粒子为０．００１重量％或以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西本和彦，平幸治，末永宪一，本间祐一，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]