研磨液组合物制造技术

一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，该研磨粒子中粒径为２～２００ｎｍ的研磨粒子含量为５０体积％以上，该研磨粒子含有的粒径为２ｎｍ以上且小于５８ｎｍ的小粒径研磨粒子为粒径２～２００ｎｍ的研磨粒子总量的４０～７５体积％，含有的粒径为５８ｎｍ以上且小于７５ｎｍ的中粒径研磨粒子为粒径２～２００ｎｍ的研磨粒子总量的０～５０体积％，含有的粒径为７５ｎｍ至２００ｎｍ的大粒径研磨粒子为粒径２～２００ｎｍ的研磨粒子总量的１０～６０体积％。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种研磨液组合物、使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。更具体说，本专利技术涉及一种对形成有薄膜的表面上具有凹凸的半导体基板进行平坦化时特别有用的研磨液组合物、及使用该研磨液组合物对半导体基板进行平坦化的研磨方法、使用该研磨液组合物的半导体基板的平坦化方法和通过使用该研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。
技术介绍
在目前超大规模集成电路中，存在着使晶体管及其他半导体元件缩小化从而提高安装密度的倾向。因此，开发出了各种微细加工技术。该技术之一便是化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简写为CMP)。该技术在半导体装置的制造工序中，例如在进行嵌入元件分离(浅槽隔离，STI)、层间绝缘膜的平坦化、嵌入金属配线的形成、插头的形成、嵌入电容器的形成等方面是一项非常重要的技术。其中，从半导体装置的微细化、高密度化方面考虑，在层压各种金属、绝缘膜等时进行的使研磨表面凹凸部的平面差减小的平坦化是重要的工序，因此要求快速实现平坦化。作为在上述制造工序中使用的CMP用研磨液，其一例便是使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高階重昭，米田康洋，萩原敏也，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：