【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
由于尺寸效应，II-VI族半导体量子点(QDs)显示了的独特光学性质，因此从基础理论研究的角度和从实际应用的角度都引起了人们极大的兴趣。在过去二十年的时间里，人们发展了很多种合成方法来制备量子点。然而，归结起来CdTe量子点的制备不外两种方式高温有机相反应(参见莫瑞等，《美国化学会志》，1993年第115卷8706页(C.B.Murray，et al，J.Am.Chem.Soc.，1993，Vol.115，8706))和较低温度下的水相反应(一般以硫醇为保护剂)(参见张浩等，《先进材料》，2003年第15卷1712页(H.Zhang，et al，Adv.Mater.，2003，Vol.15，1712))。一般来说，后一种水相方法由于使用水做反应介质，因而生产成本较低，毒性较小，表面电荷和表面性质高度可调，且易引入不同的官能团，因此成为量子点合成的重要方法之一。然而，目前水相合成碲化镉量子点的方法都以预先合成的H2Te或NaHTe为碲源，这些碲源容易被空气中的氧气氧化，所以需要使用真空线技术(Schlenk line)；而且这些合...
【技术保护点】
一种碲化镉量子点的制备方法，其特征在于，采用亚碲酸盐为碲源，选择ＣｄＣｌ↓［２］、ＣｄＳＯ↓［４］或Ｃｄ（ＮＯ↓［３］）↓［２］为镉源，包裹剂为巯基化合物Ｌ－半胱氨酸、硫代苹果酸或巯基丙酸；镉源、碲源和柠檬酸钠之间的摩尔比为１０∶１～１０∶２１，巯基化合物与镉的摩尔比为２．５６～４．１６∶１；硼氢化钠与混合反应液中水的重量比为１∶１０００；在搅拌下，往反应器中按配比加入镉源、二水合柠檬酸三钠、碲源和巯基化合物，最后加入硼氢化钠，待溶液变为浅绿色后，在反应器上端加一个冷 凝管，然后把溶液迅速加热至１００℃，当溶液沸腾时开始计时，回流３／４～１２ｈ后得到ＣｄＴｅ量子点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪尔康，包海峰，黄利坚，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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