The invention discloses a process for producing a large load of single crystal conductive copper bus bar, which comprises the following steps: electrolytic copper raw materials put into the closed mixed melt melting furnace, and then put the trace additive components, melting 40~50 minutes; mixed gas to the closed mixed melt furnace with nitrogen and carbon monoxide, will melt transfer mixture for continuous casting of molten material in the first furnace, through the siphon effect make molten mixture into continuous casting crystallizer, the top conductive copper rod pulling device will be introduced in the continuous casting mold has been crystallized from the continuous casting crystallizer leads, on the surface of single crystal copper conductive rod coating antioxidant grease. Then the single crystal copper rod is coated with a conductive grease antioxidant into the preheating cavity, after preheating is transported to the continuous extrusion molding die, made of single crystal conductive copper bus bar after immersed in anti oxygen Cooling oil. The production process of the invention has good continuity and high production efficiency, and the internal metallographic structure of the single crystal conductive copper material can not be destroyed.
【技术实现步骤摘要】
一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺
本专利技术涉及一种铜加工工艺
,特别是一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺。
技术介绍
单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料,由于在金属微观结构中取消了横向晶界,从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性。单晶导电铜材的生产在工艺上主要采用定向凝固技术和连续铸造技术相结合的方法;现有技术中单晶导电铜材主要通过水平连铸工艺进行加工生产,水平连铸工艺获得的铸坯中氧含量不易控制,生产的铸坯的合格率较低;且经水平连铸工艺生产的铸坯后续还需要经过轧制才能够获得成品。铜材连续挤压成型技术是以连续挤压技术为基础而发展起来的连续挤压复合、连续铸挤技术,常规的多晶导电铜材挤压成型作业过程为:首先将铜材上引连铸机利用电解铜连续熔铸生产不同规格的长度光亮的无氧铜杆开卷矫直,然后送入挤压成型机头中通过挤压加工成特定规格和形状的大长度光亮的无氧铜型材,然后通过卷绕设备卷绕成卷打包摆放;或者通过铜材挤压成型同步切断装置将挤压成型后的无氧铜型材切割成标准长度的杆材,然后成捆地打包装运储藏。为了避免破坏单晶导电铜材的内在金相结构,对于适用于常规的多晶导电铜材的挤压成型工艺需要作出进一步地改进。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术提供了一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺,能够满足实际生产要求。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺,包括以下步骤:步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼,熔炼温度为1100~1200摄氏度,当电解铜完全熔融后,继续熔炼15~20分 ...
【技术保护点】
一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼,熔炼温度为1100~1200摄氏度,当电解铜完全熔融后,继续熔炼15~20分钟;然后向熔融的铜液中投入微量添加组分;步骤二、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口,在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口,将加入了微量添加组分的熔融铜液保持在1080~1100摄氏度,熔炼40~50分钟;步骤三、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体,氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9;混合气体再由通气出口排出;步骤四、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中,上引连铸熔料炉的加热温度为1080~1100摄氏度;然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中,在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶,冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度,冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度;步骤五、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出,并以每分钟100~120毫米的速度引拉导电铜杆制成单晶导电铜杆;步骤六、在单晶导电铜杆 ...
【技术特征摘要】
1.一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼,熔炼温度为1100~1200摄氏度,当电解铜完全熔融后,继续熔炼15~20分钟;然后向熔融的铜液中投入微量添加组分;步骤二、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口,在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口,将加入了微量添加组分的熔融铜液保持在1080~1100摄氏度,熔炼40~50分钟;步骤三、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体,氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9;混合气体再由通气出口排出;步骤四、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中,上引连铸熔料炉的加热温度为1080~1100摄氏度;然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中,在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶,冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度,冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度;步骤五、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出,并以每分钟100~120毫米的速度引拉导电铜杆制成单晶导电铜杆;步骤六、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化油脂,然后将涂布了抗氧化油脂的单晶导电铜杆送入到预热腔内,以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350~380摄氏度;步骤七、将预热后...
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