一种阵列基板、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置，用以改善串扰和残像，提高显示品质。阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的若干栅极线、位于衬底基板上的若干第一公共电极线、若干第二公共电极线和若干第三公共电极线；第一公共电极线与栅极线平行设置，第一公共电极线位于相邻两条栅极线之间的区域；第二公共电极线与第一公共电极线绝缘交叉设置，且第二公共电极线与第一公共电极线电连接；第三公共电极线与第一公共电极线绝缘交叉设置，且第三公共电极线与第一公共电极线电连接；第二公共电极线接收的电压信号与第三公共电极线接收的电压信号的电压值不同。

Array substrate, display panel and display device

The invention discloses an array substrate, a display panel and a display device, so as to improve crosstalk and residual image, and improve display quality. The array substrate comprises a substrate, a gate line, some located in the substrate on a substrate of a plurality of first common electrode line, some second public electrode wires and a plurality of third common electrode line; a first common electrode line and the gate line is parallel to the first common electrode line is located between two adjacent gate lines of the second public areas; the electrode wire and the first common electrode wire insulation cross set, and the second common electrode wire and the first common electrode wire is electrically connected; third common electrode wire and the first common electrode wire insulation cross set, and the third common electrode wire and the first common electrode wire is electrically connected; the voltage signal of the second common electrode line receives the voltage signal and the third public the value of the different receiving electrode line.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置。
技术介绍
液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示等领域，是目前使用最为广泛的显示技术。液晶显示的画面质量是上述产品成功的重要条件，液晶显示装置是目前常用的平板显示器，而薄膜晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是液晶显示装置中的主流产品，液晶显示面板具有体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点。阵列基板是液晶显示装置的重要部件，现有技术中，通常阵列基板中设置有公共电极线，公共电极线可提供液晶显示需要的公共电压。但是，现有技术中公共电极线的电阻较高，因此公共电极线上的压降也较高，从而降低了显示的均匀性。另外，现有技术公共电极线的设计容易导致显示面板产生串扰和残像，使得显示面板的显示品质较差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置，用以改善串扰和残像，提高显示品质。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的若干栅极线，其中，还包括位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的若干栅极线，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的若干第一公共电极线、若干第二公共电极线和若干第三公共电极线；所述第一公共电极线与所述栅极线平行设置，所述第一公共电极线位于相邻两条所述栅极线之间的区域；所述第二公共电极线与所述第一公共电极线绝缘交叉设置，且所述第二公共电极线与所述第一公共电极线电连接；所述第三公共电极线与所述第一公共电极线绝缘交叉设置，且所述第三公共电极线与所述第一公共电极线电连接；所述第二公共电极线接收的电压信号与所述第三公共电极线接收的电压信号的电压值不同。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的若干栅极线，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的若干第一公共电极线、若干第二公共电极线和若干第三公共电极线；所述第一公共电极线与所述栅极线平行设置，所述第一公共电极线位于相邻两条所述栅极线之间的区域；所述第二公共电极线与所述第一公共电极线绝缘交叉设置，且所述第二公共电极线与所述第一公共电极线电连接；所述第三公共电极线与所述第一公共电极线绝缘交叉设置，且所述第三公共电极线与所述第一公共电极线电连接；所述第二公共电极线接收的电压信号与所述第三公共电极线接收的电压信号的电压值不同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括若干阵列排列的数据线；所述第二公共电极线与所述数据线平行设置，所述第三公共电极线与所述数据线平行设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，包括若干阵列排列的亚像素单元，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管，还包括若干公共电极连接线；所述第二公共电极线包括若干段第二子公共电极线，相邻两所述第二子公共电极线之间的区域与所述薄膜晶体管的区域对应，相邻的所述第二子公共电极线通过所述公共电极连接线跨接；或，所述第三公共电极线包括若干段第三子公共电极线，相邻两所述第三子公共电极线之间的区域与所述薄膜晶体管的区域对应，相邻的所述第三子公共电极线通过所述公共电极连接线跨接。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，包括若干阵列排列的亚像素单元，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管，还包括若干第一公共电极连接线和若干第二公共电极连接线；所述第二公共电极线包括若干段第二子公共电极线，相邻两所述第二子公共电极线之间的区域与所述薄膜晶体管的区域对应，相邻的所述第二子公共电极线通过所述第一公共电极连接线跨接；所述第三公共电极线包括若干段第三子公共电极线，相邻两所述第三子公共电极线之间的区域与所述薄膜晶体管的区域对应，相邻的所述第三子公共电极线通过所述第二公共电极连接线跨接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极线呈折线分布，所述第三公共电极线呈折线分布。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，包括若干阵列排列的数据线和亚像素单元，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管；所述第二公共电极线在部分区域沿平行所述数据线的方向分布，在部分区域沿平行所述栅极线的方向分布，以使得所述第二公共电极线避开所述薄膜晶体管；所述第三公共电极线在部分区域沿平行所述数据线的方向分布，在部分区域沿平行所述栅极线的方向分布，以使得所述第三公共电极线避开所述薄膜晶体管。7.根据权利要求2-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括若干阵列排列的亚像素单元，至少部分所述亚像素单元对应的区域设置有所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙春平，徐健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11