一种C3N4纳米线的制备方法技术
A method for preparation of C3N4 nanowires
The invention discloses a method for preparing C3N4 nanowires, which mixes nitrogen rich precursors with salt or sodium oxide at high temperature, and then washes, filters and dried them to obtain C3N4 nanowires. Also in the washing, adding photosensitizer and graphene powder into the water, avoid light ultrasonic 30min ~ 90min, 2000 ~ 2800 and then turn to the centrifugal 12 ~ 20min; the invention for the first time using nitrogen rich precursor and salt or oxide mixture, through high temperature calcination, washing method, C3N4 nanowires were synthesized and prepared simple process, short reaction time, environmental protection process, good repeatability, easy industrialized production, the as prepared C3N4 nanowires with a large surface area, high photocatalytic activity was 86.56%, and the C3N4 nanowire morphology, size uniformity, good repeatability.
【技术实现步骤摘要】
一种C3N4纳米线的制备方法
本专利技术属于材料制备和光催化
，具体涉及的是一种C3N4纳米线的制备方法。
技术介绍
半导体光催化剂在过去的几十年中一直备受关注。因为其广泛应用于直接水解获得可再生能源氢和有机污染废水的环境保护。在众多的半导体中，TiO2由于其无毒、低成本、高稳定性和优良的光催化能力成为研究最多和最具有应用前景的半导体材料。但是，由于其能隙大(如锐钛矿型TiO23.2eV)，只能利用占太阳光3％～4％的紫外线(UV)部分，并且量子效率低，从而限制了TiO2的应用。因此，掺杂、金属沉积和复合材料的制备等方法被应用于TiO2的改性，以期望提高其可见光光催化活性。近年来，一种新型功能材料—石墨状氮化碳(g-C3N4)由于具有非金属性、高电子迁移率、低能隙(2.73eV)的特点而被引起广泛关注。g-C3N4具有优越的还原能力，其光响应波长可达450nm，扩大到可见光范围。但是它的氧化能力比TiO2弱，此外，在光催化过程中的电子-空穴对分离率需要进一步提高。
技术实现思路
为解决现有技术存在的石墨状氮化碳(g-C3N4)的氧化能力比TiO2弱，在光催化过程...
【技术保护点】
一种C3N4纳米线的制备方法，其特征在于，将富氮前驱和盐或钠氧化物混合高温煅烧，再水洗、过滤、干燥，即得到C3N4纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种C3N4纳米线的制备方法，其特征在于，将富氮前驱和盐或钠氧化物混合高温煅烧，再水洗、过滤、干燥，即得到C3N4纳米线。2.根据权利要求1所述的C3N4纳米线的制备方法，其特征在于：所述的富氮前驱为单氰胺、双氰胺和三聚氰胺任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的C3N4纳米线的制备方法，其特征在于：水洗时，向水中加入光敏剂和石墨烯粉末，避光超声震荡30min～90min，然后2000转～2800转离心12～20min。4.根据权利要求3所述的C3N4纳米线的制备方法，其特征在于：所述的光...
【专利技术属性】
技术研发人员：张春勇，文颖频，程洁红，赵德建，舒莉，秦恒飞，刘维桥，周月，郑纯智，张国华，周全法，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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