微电子结构及其形成方法技术

本发明专利技术揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法，包括在一衬底上原位形成一石墨烯层，此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构，且具有大于300meV的能隙，形成一第一绝缘层，使石墨烯层与衬底之间以第一绝缘层间隔，在石墨烯层上形成一第二绝缘层，且在第二绝缘层上形成一第一电极、一第二电极及一第三电极，使第一电极及第二电极直接接触石墨烯层的两端，第三电极与石墨烯层之间以第二绝缘层间隔。由此获得的微电子结构应用高能隙的石墨烯材料，可提升其电子特性。

Microelectronic structure and its formation method

The present invention discloses a microelectronic structure and its formation method. A method of forming the microelectronic structure, including in situ formation of a graphene layer on a substrate, the graphene layer comprises at least one layer of graphene structure, and has a gap of more than 300meV, forming a first insulating layer, the first insulating layer between the graphene layer and the substrate, an insulating layer is formed on the second the graphene layer, and the second insulation to form a first electrode, a second electrode and a third electrode layer, both ends of the first electrode and the two electrode direct contact of graphene layers between the third electrode and the graphene layer to second layer insulating spacer. The resulting microelectronic structures can enhance their electronic properties by using graphene materials with high energy gap.

【技术实现步骤摘要】
微电子结构及其形成方法
本专利技术涉及微电子制造领域，尤其涉及一种微电子结构及其形成方法。
技术介绍
目前，在微电子制造领域愈来越重视石墨烯的应用，以期将具有低电阻率及轻薄结构的石墨烯应用于其中，助于提升微电子组件的电子移动速度跟尺寸的微型化。现有技术中，应用石墨烯制作微电子组件的发展非常迅速，已提出数种模型。首先请参考图1所示的结构示意图，金氧半场效晶体管(MOSFET)1是将制作于硅衬底120上的石墨烯层140作为连结在源极160与漏极150之间的沟道层，以二氧化硅层130作为绝缘层，藉由后栅极110控制沟道层内的电子流通与否。这样的金氧半场效晶体管虽然可以经现今制造工艺做出，但其中具有过大的寄生电容，也无法与其他组件整合制造，所以无法符合工业制造的需求。另请参考图2及图3，其中图2的金氧半场效晶体管2是以覆盖有二氧化硅230的硅衬底220后表面掺杂形成后栅极210，前表面上以化学剥离法(chemicalexfoliationmethod)或在镍、铜等金属上制作出石墨烯层240，图3的金氧半场效晶体管3是以外延生长(epitaxialgrowth)技术在碳化硅衬底310上形成石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子结构，其特征在于，包括：一衬底，其上形成一石墨烯层、一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中，该第一电极及该第二电极直接接触该石墨烯层的两端，该石墨烯层与该衬底之间以一第一绝缘层间隔，该第三电极与该石墨烯层之间以一第二绝缘层间隔，且该石墨烯层具有大于300meV的能隙。

【技术特征摘要】
1.一种微电子结构，其特征在于，包括：一衬底，其上形成一石墨烯层、一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中，该第一电极及该第二电极直接接触该石墨烯层的两端，该石墨烯层与该衬底之间以一第一绝缘层间隔，该第三电极与该石墨烯层之间以一第二绝缘层间隔，且该石墨烯层具有大于300meV的能隙。2.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该石墨烯层包括至少一层石墨烯结构。3.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该第一电极、该第二电极及该第三电极均是金属电极。4.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该第一绝缘层是该衬底的氧化物，该第二绝缘层是高介电质薄膜。5.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该微电子结构是一双栅极场效晶体管，该第一电极、该第二电极及该第三电极分别为源极、漏极和第一栅极，该衬底为第二栅极。6.一种微电子结构的形成方法，其特征在于，包括：在一衬底上原位...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31