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本发明揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法，包括在一衬底上原位形成一石墨烯层，此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构，且具有大于300meV的能隙，形成一第一绝缘层，使石墨烯层与衬底之间以第一绝缘层间隔，在石墨烯层上形成一第二...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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