一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用技术

本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：

Lead Gallium Germanium sulfur crystal, its preparation method and Application

The invention relates to the field of inorganic nonlinear optical materials, in particular, relates to a lead Gallium Germanium sulfur crystal, and its preparation method and application. The chemical formula of lead Gallium Germanium sulfur crystal is PbGa2GeS6, belonging to orthorhombic system, space group Fdd2, single cell parameter is:

【技术实现步骤摘要】
一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用
本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。技术背景非线性光学晶体因其激光频率转换功能已经被广泛应用于民用及军用高科技领域，如激光倍频、影视、印刷等现代激光技术，光通讯及信号处理，军用光学限制器等。目前实际应用的非线性光学晶体主要是一些无机氧化物，例如LiB3O5(LBO)、β-BaB2O4(BBO)、KH2PO4(KDP)、KTiOPO4(KTP)等，应用范围主要在紫外–可见至近红外波段，而可应用于中、远红外波段的非线性光学晶体明显较少，仅有AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2等。尽管这些材料一般具有稳定性好、红外透光范围宽、非线性系数大等优点，但随着科学技术发展，对高功率激光的需求使这些红外波段的非线性光学材料表现出激光损伤阈值的不足。例如Chem.Mater.(2015,Vol.27,914–922)公开的PbGa2GeSe6晶体，是一种具有I-型相位匹配特征的红外非线性光学材料，其倍频效应与激光损伤阈值分别为AgGaS2的5倍和3.7倍，但该材料激光损伤阈值仍有待提高。鉴于此，特提出本申请。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铅镓锗硫晶体，其特征在于，所述铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6；所述铅镓锗硫晶体属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：

【技术特征摘要】
1.一种铅镓锗硫晶体，其特征在于，所述铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6；所述铅镓锗硫晶体属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。2.根据权利要求1所述的铅镓锗硫晶体，其特征在于，所述铅镓锗硫晶体经一步自助熔剂法制备得到。3.一种如权利要求1或2所述的铅镓锗硫晶体的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：(1)将铅源、三硫化二镓和二硫化锗按摩尔比为0.5～4：0.8～1.2：0.8～1.2的比例混合；(2)将混合后的混合物在真空密封条件下，加热至500～650℃保温24～100小时；(3)降至室温，即得所述铅镓锗硫晶体。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述铅源为氯化铅；在步骤(1)中，氯化铅、三硫化二镓和二硫化锗的摩尔比为0.5～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄一枝，张浩，程文旦，柴国良，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建,35