硒锑镓钡化合物、硒锑镓钡红外非线性光学晶体及其制备方法和用途技术

本发明专利技术公开了一种硒锑镓钡化合物，化学式是Ba23Ga8Sb2Se38。本发明专利技术还公开了硒锑镓钡化合物的制备方法。另外，本发明专利技术还公开了一种硒锑镓钡晶体及其制备方法和应用。本发明专利技术的硒锑镓钡红外非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所获得的硒锑镓钡红外非线性光学晶体具有比较宽的红外透光波段、机械性能好、易于加工和保存等优点；该硒锑镓钡晶体可用于制作红外激光变频器件。

【技术实现步骤摘要】
硒锑镓钡化合物、硒锑镓钡红外非线性光学晶体及其制备方法和用途
本专利技术涉及无机化合物材料
，具体涉及硒锑镓钡化合物及其制备方法、硒锑镓钡红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。
技术介绍
二阶非线性光学晶体是一类与激光技术紧密结合的、重要的光电功能材料，该类晶体能够通过倍频、差频、和频和光学参量振荡等非线性效应实现对商用激光器频率的调节，产生新波长激光源，进而极大拓展激光的应用范围。例如使用合适的倍频晶体，可以将Nd:YAG(输出波长为1064nm)激光倍频，产生波长为532nm的激光；2.1μm的激光经过倍频后可以产生波长为1.05μm的激光。目前，在紫外和可见光波段，一系列优秀的非线性光学晶体已经被发现并实现商用，包括KBBF(KBe2BO3F2)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、KDP(KH2PO4)和KTP(KTiOPO4)等，它们在产生新的紫外和可见光波段激光方面已经得到了广泛的应用且能够满足各种使用要求。然而，对红外波段非线性光学晶体的研究依然相对匮乏，能够实用化的晶体仅有ZGP(ZnGeP2)、AGS(AgGaS2)和A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒锑镓钡化合物，其特征在于所述硒锑镓钡化合物的化学式是Ba23Ga8Sb2Se38。

【技术特征摘要】
1.一种硒锑镓钡化合物，其特征在于所述硒锑镓钡化合物的化学式是Ba23Ga8Sb2Se38。2.权利要求1所述硒锑镓钡化合物的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将含Ba物质、含Ga物质、含Sb物质和单质Se配料并混合均匀后，加热至800～850℃进行高温固相反应，得到硒锑镓钡化合物；所述含Ba物质、含Ga物质、含Sb物质和单质Se中所有的Ba:Ga:Sb:Se元素摩尔比为23:8:2:38。3.根据权利要求2所述硒锑镓钡化合物的制备方法，其特征在于：所述含Ba物质为钡单质或硒化钡；所述含Ga物质为镓单质或三硒化二镓；所述含Sb物质为锑单质或三硒化二锑。4.根据权利要求3所述硒锑镓钡化合物的制备方法，其特征在于：所述加热至800～850℃进行高温固相反应是指：将混合均匀的物料装入镀碳石英管中，然后对石英管抽真空至10-3Pa并进行熔化封结；将封结的石英管放入马弗炉中，以30～50℃/h的速率升温至800～850℃，保温96h，待冷却后取出样品；对取出的样品研磨混匀后再次置于镀碳石英管中抽真空至10-3Pa并进行熔化封结，之后放入马弗炉内升温至800℃烧结72h；将样品取出，并研磨得到粉末状的Ba23Ga8Sb2Se38化合物。5.一种硒锑镓钡晶体，其特征在于：所述晶体的化学式是Ba23Ga8Sb2Se38，所述晶体为红外非线性光学晶体，具有非中...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹文龙，余盛全，张羽，谢婧，窦云巍，唐明静，袁泽锐，方攀，陈莹，康彬，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院化工材料研究所，四川省新材料研究中心，
类型：发明
国别省市：四川,51