一种半导体器件的散热结构及半导体器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件的散热结构及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中，所述半导体器件的散热结构包括：靠近所述半导体器件一侧的散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的散热结构的下表面，上表面形成有第一散热窗口；至少一个散热通道，所述散热通道包括入口和出口，所述入口与所述第一散热窗口对应设置；所述入口包括第一断面和第二断面，其中，所述第一断面的开口面积大于所述第二断面的开口面积。采用上述技术方案，由于散热通道的入口与第一散热窗口对应，入口的第一断面面积大于第二断面面积，保证经入口流入的导热介质在第二断面处具有较大的流速，保证半导体器件热量快速散出，保证半导体器件正常的输出功率。

Heat dissipation structure of semiconductor device and semiconductor device

The embodiment of the invention discloses a radiating structure for semiconductor device and semiconductor device, relates to the field of semiconductor technology, the structure of the semiconductor device comprises a heat radiating structure: close to the side of the semiconductor device on the surface and the heat dissipation structure away from the side of the lower surface of the semiconductor device, a first radiating window is formed on the surface; at least one cooling channel, the cooling channel including the entrance and exit of the entrance and the first radiating window arranged corresponding to the entrance; including the first and second section, in the opening area of the first section is higher than that of the second section. By adopting the technical scheme, the entrance cooling channel with the first heat radiating window corresponding to the first section of the entrance area, more than second section area, ensure the heat conducting medium through the entrance inflow has a larger velocity in the second section, to ensure the rapid heat from the semiconductor device, ensure the normal output of power semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的散热结构及半导体器件
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的散热结构及半导体器件。
技术介绍
随着GaN器件技术的成熟，GaN器件的高功率密度的优点更清晰地展现了出来，工业界逐渐开始量产GaN器件。然而，随着集成电路的集成度的增加，对于GaN器件的散热提出了更高的要求。据测量，GaN器件的热量分布主要集中在器件的肖特基结附近，其可源源不断地产生热量，而当热量不能被有效地耗散时，就会使肖特基结温度升高，从而降低器件的功率输出与射频性能。传统的热管理技术以远程冷却为代表，如减薄衬底，增加金属热沉等等。该技术的散热性能十分有限，限制了GaN器件可输出的功率，使其远低于当GaN器件被充分冷却时所能输出的功率，没有充分发挥GaN器件的潜能，降低了GaN器件的工作寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体器件的散热结构及半导体器件，以解决现有技术中半导体器件冷却效果差、半导体器件的输出功率低的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的散热结构，包括：靠近所述半导体器件一侧的所述散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的所述散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的散热结构，其特征在于，包括：靠近所述半导体器件一侧的所述散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的所述散热结构的下表面，所述上表面形成有第一散热窗口；至少一个散热通道，所述散热通道包括入口和出口，所述入口与所述第一散热窗口对应设置；所述入口包括第一断面和第二断面，其中，所述第一断面的开口面积大于所述第二断面的开口面积。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的散热结构，其特征在于，包括：靠近所述半导体器件一侧的所述散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的所述散热结构的下表面，所述上表面形成有第一散热窗口；至少一个散热通道，所述散热通道包括入口和出口，所述入口与所述第一散热窗口对应设置；所述入口包括第一断面和第二断面，其中，所述第一断面的开口面积大于所述第二断面的开口面积。2.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第一断面位于所述散热结构的下表面，所述第二断面靠近所述第一散热窗口。3.根据权利要求2所述的散热结构，其特征在于，所述出口位于所述散热结构的下表面。4.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述开口的截面形状为八字形。5.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构的上表面、下表面和所述散热通道的材料为不锈钢或者硅。6.一种半导体器件，基于权利要求1-5任一项所述的半导体器件的散热结构，所述半导体器件与所述散热结构相连，其特征在于，包括：位于所述散热结构的上表面一侧的衬底，所述衬底上形成有第二散热窗口，所述第二散热窗口在所述衬底所在平面上的垂直投影与所述第一散热窗口在所述衬底所在平面上的垂直投影存在交叠区域；所述第二散热窗口和所述第一散热窗口形成散热腔；位于所述散热腔内的热传导层；位于所述衬底上的成核层；位于所述成核层上远离所述衬底一侧的缓冲层；位于所述缓冲层上远离所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴传佳，裴轶，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32