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本发明实施例公开了一种半导体器件的散热结构及半导体器件,涉及半导体技术领域,其中,所述半导体器件的散热结构包括:靠近所述半导体器件一侧的散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的散热结构的下表面,上表面形成有第一散热窗口;至少一个散热通道...该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。
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本发明实施例公开了一种半导体器件的散热结构及半导体器件,涉及半导体技术领域,其中,所述半导体器件的散热结构包括:靠近所述半导体器件一侧的散热结构的上表面以及远离所述半导体器件一侧的散热结构的下表面,上表面形成有第一散热窗口;至少一个散热通道...