电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法技术

本发明专利技术公开一种电子‑可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法，该转移方法包括下列步骤：于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，每一电子元件包括一磁性部；通过一电子‑可编程磁性转移模块所产生的一磁力，选择性地从第一基板拾起部分电子元件；以及将被电子‑可编程磁性转移模块所拾起的部分电子元件转移至一第二基板上。

Electronic programmable magnetic transfer module and electronic component transfer method

The invention discloses an electronic method can transfer programming magnetic transfer module and electronic components, the transfer method includes the following steps: forming a plurality of electronic element array on a first substrate, each electronic device includes a magnetic part; programmable magnetic force generated by a transfer module through an electronic. Part of the electronic components selectively from the first substrate will be picked up; and electronic programmable magnetic transfer part of the electronic components is transferred to a second substrate module picks up on.

【技术实现步骤摘要】
电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法
本专利技术涉及一种电子元件的转移方法，且特别是涉及一种用一电子-可编程磁性转移模块转移电子元件的方法。
技术介绍
无机发光二极管显示器具备有源发光、高亮度等特点，因此已经广泛地被应用于照明、显示器、投影机等
中。以单片微显示器(monolithicmicro-displays)为例，单片微显示器广泛地被使用于投影机且一直以来都面临彩色化的技术瓶颈。目前，已有现有技术提出利用外延技术于单一发光二极管芯片中制作出多层能够发出不同色光的发光层，以使单一发光二极管芯片即可提供不同色光。但由于能够发出不同色光的发光层的晶格常数不同，因此不容易成长在同一个基板上。此外，其他现有技术提出了利用发光二极管芯片搭配不同色转换材料的彩色化技术，其中当发光二极管芯片发光时，色转换材料被激发而发出不同色光的激发光，但是此技术仍面临色转换材料的转换效率过低以及涂布均匀性等问题。除了上述两种彩色化技术，也有现有技术提出了发光二极管的转贴技术，由于能够发出不同色光的发光二极管可分别在适当的基板上成长，故发光二极管能够具备较佳的外延品质与发光效率。是以，发光二极管的转贴技术较有机会使单片微显示器的亮度以及显示品质提升。然而，如何快速且有效率地将发光二极管转贴至单片微显示器的线路基板上，实为目前业界关注的议题之一。
技术实现思路
本申请案的一实施例提供一种电子元件的转移方法和一种电子-可编程磁性转移模块。本申请案的一实施例提供一种电子元件的转移方法，其包括下列步骤：(a)于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，每一电子元件包括一磁性部；(b)通过一电子-可编程磁性转移模块所产生的一磁力，选择性地从第一基板拾起部分电子元件；以及(c)将被电子-可编程磁性转移模块所拾起的部分电子元件转移至一第二基板上。本申请案的另一实施例提供一种电子-可编程磁性转移模块，其包括一微机电系统(microelectromechanicalsystem,MEMS)芯片和一接合设备，微机电系统芯片包括多个电磁线圈以及每一电磁线圈是单独地被控制，其中微机电系统芯片组装于接合设备上并且被接合设备所搭载。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1为本申请案一实施例的电子元件的转移方法的流程示意图；图2A至图2N为本申请案第一实施例的电子元件的转移方法的剖面示意图；图2J’、图2J”、图2J”’分别为不同支撑层的上视示意图；图3为本申请案一实施例的电子-可编程磁性转移模块的剖面示意图；图4A至图4E为本申请案的微机电系统芯片的制造流程剖面示意图；图4A’为图4A中的电磁线圈的导电薄膜的示意图；图5为图3中电子-可编程磁性转移模块的控制系统的方块图；图6A至图6K为本申请案第二实施例的电子元件的转移方法的剖面示意图。符号说明100、100’：光电半导体层100a、100a’：表面102：电极110：粘着剂110a：粘着剂图案120：牺牲层120a：牺牲层图案130：磁性部140：支撑材料140a：支撑层200：电子-可编程磁性转移模块210：微机电系统芯片212：电磁线圈212a：介电薄膜212b：导电薄膜212c：导电贯孔214：铁磁性金属元件216：顶介电薄膜220：接合设备300：控制系统310：计算机320：电子控制单元330：机构控制单元340：加热控制单元S0：成长基板S1：第一基板S2：第二基板ED：电子元件S10、S20、S30：步骤T：沟槽P：突起OP：开口具体实施方式第一实施例图1为本申请案一实施例的电子元件的转移方法的流程示意图。请参照图1，本实施例的电子元件的转移方法包括下列步骤(S10,S20和S30)。首先，于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，其中每一电子元件包括一磁性部，且磁性部可位于电子元件上或嵌入电子元件内(步骤S10)。再提供第一基板之后，可通过一电子-可编程磁性转移模块所产生的一磁力(步骤S20)，选择性地从第一基板上拾起部分的电子元件。然后，再将被电子-可编程磁性转移模块所拾起的部分电子元件转移至一第二基板上(步骤S30)。在本实施例中，电子元件的转移方法可重复前述步骤(S10至S30)至少一次，以使形成于不同的第一基板上的电子元件可以转移至第二基板上。举例而言，形成于不同第一基板上的电子元件能够发出不同色光。在本实施例中，前述的电子元件例如是光电元件(如发光二极管元件、光感测元件、太阳电池等)或者是其他与光无关的电子元件(如感测器、晶体管等)。以发光二极管元件为例，本实施例的发光二极管元件依据其电极的分布方式可为水平式发光二极管元件或垂直式发光二极管元件。为了更清楚了解本申请案的第一实施例，将搭配图2A至图2N详述如后。图2A至图2N为本申请案第一实施例的电子元件的转移方法的剖面示意图。首先请参照图2A，提供一成长基板S0，并于成长基板S0上形成一光电半导体层100。在本实施例中，成长基板S0可以是一硅基板、一碳化硅基板、一蓝宝石基板或是其他适当基板，光电半导体层100可以是发光二极管元件层、光感测元件层、太阳电池元件层等，光电半导体层100可以由金属有机化学气相沉积(metal-organicchemicalvapourdeposition,MOCVD)法所形成，换言之，光电半导体层100例如为一外延层，当一驱动电流通过外延层时，外延层能够发光。具体而言，光电半导体层100可包括N型掺杂半导体层、多重量子阱层发光层和P型掺杂半导体层等膜层，其中多重量子阱层的发光层是介于N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间。此外，除了N型掺杂半导体层、多重量子阱层发光层和P型掺杂半导体层以外，光电半导体层100还可包括缓冲层、N型披覆层、P型披覆层、阻流层、电流分散层或前述膜层的组合。本实施例不限定形成于成长基板S0上的必须是光电半导体层100，其他型态的半导体层也可以被形成于成长基板S0上。请参照图2B，在光电半导体层100形成于成长基板S0之后，形成多个电极102于光电半导体层100上。在本实施例中，前述的电极102包括多个电连接至N型掺杂半导体层的N电极以及多个电连接至P型掺杂半导体层的P电极。请参照图2C，在电极102形成于光电半导体层100之后，通过一粘着剂110将光电半导体层100和电极102暂时性地接合至一第一基板S1，其中粘着剂110粘合电极102和光电半导体层100，且粘着剂110是介于光电半导体层100和第一基板S1之间。在本实施例中，第一基板S1可以是一硅基板、一碳化硅基板、一蓝宝石基板或是其他适当基板，而粘着剂110的材料可以是有机材料、有机高分子材料、高分子聚合物材料或是其他具有适当粘着能力的材料。请参照图2D，于光电半导体层100和电极102皆暂时性地接合至第一基板S1之后，移除成长基板S0以暴露光电半导体层100的一表面100a。在本实施例中，成长基板S0例如是通过激光掀离(laserlift-off)等方式从光电半导体层100的表面100a掀离。请参照图2E，于成长基板S0被移除之后，本实施例可选择性地对光电半导体层100进行薄化，使光电半导体层100的厚度得以减低。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件的转移方法，包括：(a)于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件包括一磁性部；(b)通过一电子‑可编程磁性转移模块所产生的一磁力，选择性地从该第一基板拾起部分该些电子元件；以及(c)将被该电子‑可编程磁性转移模块所拾起的部分该些电子元件转移至一第二基板上。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件的转移方法，包括：(a)于一第一基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件包括一磁性部；(b)通过一电子-可编程磁性转移模块所产生的一磁力，选择性地从该第一基板拾起部分该些电子元件；以及(c)将被该电子-可编程磁性转移模块所拾起的部分该些电子元件转移至一第二基板上。2.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，还包括：重复步骤(a)至步骤(c)至少一次，使形成于不同第一基板上的电子元件转移至该第二基板上。3.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，其中于该第一基板上形成该些电子元件的制造方法包括：形成一光电半导体层于一成长基板上；形成多个电极于该光电半导体层上；通过一粘着剂接合该光电半导体层和该第一基板，其中该粘着剂粘合该些电极和该光电半导体层，且该粘着剂是介于该光电半导体层和该第一基板之间；移除该成长基板以暴露该光电半导体层的一表面；形成一牺牲层于该光电半导体层的该表面上；形成该磁性部于该牺牲层上；图案化该光电半导体层、该粘着剂和该牺牲层，以形成该些电子元件、多个位于该些电子元件上的牺牲层图案以及多个介于该些电子元件和该第一基板之间的粘着剂图案；形成一支撑层于该第一基板上，其中该支撑层位于该些电子元件之间且连接该些电子元件，该支撑层使各该粘着剂图案曝露；以及移除该些粘着剂图案，以形成一间距于各该电子元件和该第一基板之间。4.如权利要求3所述的电子元件的转移方法，还包括：于移除该成长基板之后且于形成该牺牲层之前，薄化该光电半导体层。5.如权利要求3所述的电子元件的转移方法，还包括：移除位于已被转移至该第二基板上的该些电子元件上的该些牺牲层图案。6.如权利要求1所述的电子元件的转移方法，其中于该第一基板上形成该些电子元件的制造方法包括：形成一光电半导体层于一成长基板上；形成多个电极于该光电半导体层上；通过一粘着剂接合该光电半导体层和该第一基板，其中该粘着剂粘合该些电极和该光电半导体层，且该粘着剂是介于该光电半导体层和该第一基板之间；从该光电半导体层移除该成长基板；图案化该光电半导体层和该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明宪，方彦翔，赵嘉信，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71