一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，自上而下为：顶栅/铁电层/沟道层/底栅氧化层/底栅。该非易失性存储器通过在结构上进行“编程/擦除”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口及可靠性能。

A dual gate structure ferroelectric InGaZnO nonvolatile memory

The present invention discloses a dual gate structure ferroelectric InGaZnO nonvolatile memory, from top to bottom: top gate / ferroelectric layer / channel layer / bottom gate oxide / bottom grid. The nonvolatile memory enhances the memory window and reliable performance of the memory by separating the \program / erase\ and \read\ operations on the structure.

【技术实现步骤摘要】
一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器
本专利技术涉及半导体非易失性存储器领域，尤其涉及一种具有双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器。
技术介绍
平板显示已在电视、计算机及智能手机等各类电子产品中得到广泛应用,极大改善了人们的生活。随着人们对低功耗及高分辨率的便携式电子设备、大尺寸3D显示等具有更高品质的产品需求迅速增加，研究人员提出了“面板系统(SystemonPanel,SoP)”技术，即把不同功能的模块(如像素电路、外围驱动电路及信息存储等模块)集成在面板上。SoP技术在降低产品成本和功耗的同时显著提升了产品的稳定性和工作速度，因此是发展高品质平板显示的有益技术途径。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和非易失性存储器(Non-VolatileMemory,NVM))是两种构成SoP的关键性器件，其中，NVM在SoP中起着像素存储、各种显示参数及控制信号存储的作用。铁电型NVM作为NVM的一个重要分支，具有结构(包括沟道层/铁电层/栅极)和制作工艺简单、工作速度快等特点，因此应用前景广阔。无论是TFT还是NVM，其器件性能都与沟道层的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，其特征在于：包括衬底、设在衬底上的底栅，设在衬底上并且覆盖底栅的底栅氧化层，设在底栅氧化层上的InGaZnO沟道层，设在InGaZnO沟道层上相对两侧的源极、漏极，设在InGaZnO沟道层上以及源极、漏极上的铁电层，设置在铁电层上的顶栅，所述顶栅位于底栅的正上方；所述底栅氧化层的等效氧化层厚度TBOX、InGaZnO沟道层的等效氧化层厚度TIGZO以及铁电层的等效氧化层厚度TTOX满足：3>TBOX/(TTOX+TIGZO)>1；对所述顶栅施加电压来实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，对所述底栅施加电压来实现非易失性存储器的“读...

【技术特征摘要】
1.一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，其特征在于：包括衬底、设在衬底上的底栅，设在衬底上并且覆盖底栅的底栅氧化层，设在底栅氧化层上的InGaZnO沟道层，设在InGaZnO沟道层上相对两侧的源极、漏极，设在InGaZnO沟道层上以及源极、漏极上的铁电层，设置在铁电层上的顶栅，所述顶栅位于底...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓东，黄见秋，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32