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本发明公开了一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，自上而下为：顶栅/铁电层/沟道层/底栅氧化层/底栅。该非易失性存储器通过在结构上进行“编程/擦除”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口及可靠性能。...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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