一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层和硬掩膜层，在所述半导体衬底、栅极材料层和硬掩膜层中形成有沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化层，在所述沟槽中填充有隔离层；去除所述硬掩膜层；在所述半导体衬底上形成附加氧化层，所述附加氧化层包括位于所述栅极材料层之上的部分和位于所述沟槽侧壁上的部分；去除所述附加氧化层位于所述栅极材料层之上的部分。该方法可以避免后续控制栅刻蚀产生多晶硅残余而导致控制栅和浮栅短路。该半导体器件和电子装置具有更好的良品率。

A semiconductor device and its manufacturing method and electronic device

The present invention provides a semiconductor device and its manufacturing method and electronic device. The method includes: providing a semiconductor substrate, a gate material layer and the hard mask layer is formed on the semiconductor substrate, the semiconductor substrate, the gate material layer and the hard mask grooves are formed in the film, a pad oxide layer is formed on the sidewalls of the trench, an isolation layer is filled in the groove the slot; the hard mask layer is removed; forming additional oxide layer on the semiconductor substrate, the oxide layer comprises an additional gate material layer part and positioned in the groove on the side wall part; removing the additional oxide layer is positioned on the gate material layer part. This method can avoid the residual polysilicon in the subsequent control grid etching, resulting in the control gate and floating gate short circuit. The semiconductor device and the electronic device have better yield.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快闪存储器由于具有大存储容量和相对高的性能，广泛用于读/写要求较高的领域。近来，NAND快闪存储器芯片的容量已经达到2GB，并且尺寸迅速增加。已经开发出基于NAND快闪存储器芯片的固态硬盘，并在便携计算机中用作存储设备。因此，近年来，NAND快闪存储器广泛用作嵌入式系统中的存储设备，也用作个人计算机系统中的存储设备。对于3Xnm(例如，32nm)以下的NAND存储单元(NANDcell)，外围区域有源区侧墙STI(浅沟槽隔离结构)的性能对于接下来的工艺非常重要，而目前的NAND存储单元的开口工艺发现侧墙出现缺角(devoit)，这种缺角会导致控制栅刻蚀存在多晶硅残余，进而导致浮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层和硬掩膜层，在所述半导体衬底、栅极材料层和硬掩膜层中形成有沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化层，在所述沟槽中填充有隔离层；去除所述硬掩膜层；在所述半导体衬底上形成附加氧化层，所述附加氧化层包括位于所述栅极材料层之上的部分和位于所述沟槽侧壁上的部分；去除所述附加氧化层位于所述栅极材料层之上的部分。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层和硬掩膜层，在所述半导体衬底、栅极材料层和硬掩膜层中形成有沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化层，在所述沟槽中填充有隔离层；去除所述硬掩膜层；在所述半导体衬底上形成附加氧化层，所述附加氧化层包括位于所述栅极材料层之上的部分和位于所述沟槽侧壁上的部分；去除所述附加氧化层位于所述栅极材料层之上的部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除所述硬掩膜层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述附加氧化层通过化学气相沉积法或热氧化法形成。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过干法刻蚀或湿法刻蚀去除所述附加氧化层位于所述栅极材料层之上的部分。5.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31